IRG4BC10KD (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4BC10KD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 152191
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max9A
Voltage, Vce Sat Max2.39V
Power Dissipation38W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed18A
Pins, No. of3
Power, Pd38W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max310ns
Time, Rise32ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
IRG4BC10KD.pdf
IRG4BC10KDPBF (INFIN)
Доступно 768 шт. (под заказ)

Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,