IRFR1010Z (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR1010Z
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 152177
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Напряжение для измерения Rds(on)

Полевой транзистор. 55V. 91A.

IRFR1010ZTRLPBF (INFIN)
Доступно 500 шт. (под заказ)

40V-75V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fast Switching 175°C Operating …

IRFR1010ZPBF (INFIN)
Доступно 5908 шт. (под заказ)

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:91A; Resistance, Rds On:0.0075ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Idm Pulse:360A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR1010ZPBF; Pins, No.…

IRFR1010ZTRPBF (INFIN)
Доступно 6000 шт. (под заказ)

40V-75V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fast Switching 175°C Operating …

STD60N55F3 (ST)
Доступно 41557 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 55 В; Iс(25°C): 65 А; Rси(вкл): 8.5 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 33.5 нКл