IRGIB10B60KD1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGIB10B60KD1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 151138
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT: 600 В, 10 А

Производитель: INFIN
IRGIB10B60KD1.pdf
IRGIB10B60KD1P (INFIN)
Доступно 1809 шт. (под заказ)

Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

STGF14NC60KD (ST)
Доступно 3601 шт. (под заказ)

IGBT транзистор - Примечание: N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE