IRGIB15B60KD1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGIB15B60KD1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 151131
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

IGBT: 600 В, 12 А

STGF14NC60KD (ST)
Доступно 3601 шт. (под заказ)

IGBT транзистор - Примечание: N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE

IRGIB15B60KD1P (INFIN)
Доступно 2333 шт. (под заказ)

IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:19A; Voltage, Vce Sat Max:2.2V; Power Dissipation:52W;…