IRF6691TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF6691TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF6691TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150779
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont32A
Resistance, Rds On1.8mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ6580pF
Current, Idm Pulse260A
Marking, SMD6691
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ32ns
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V

Производитель: INFIN
IRF6691.pdf
IRF6691TR1PBF (INFIN)
Доступно 66 шт. (под заказ)

MOSFET, N, DIRECTFET, 20V, MT