IRF6623TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6623TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150770
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont55A
Resistance, Rds On5.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.2V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1360pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C12nC
Current, Idm Pulse120A
Depth, External4.85mm
IC Package (Case style)ST
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6623
Pins, No. of7
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Resistance, Rds on Max5.7mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ20ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max2V
Voltage, Vgs th Min1.3V
Width, External3.95mm

IRF6623TRPBF (INFIN)
Доступно 26078 шт. (под заказ)

MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC