IRF6618TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6618TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150764
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont170A
Resistance, Rds On2.2mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.64V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ5640pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C46nC
Current, Idm Pulse240A
Depth, External6.35mm
IC Package (Case style)MT
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6618
Pins, No. of7
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Resistance, Rds on Max2.2mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ43ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max2.35V
Voltage, Vgs th Min1.35V
Width, External5.05mm

IRF6618TRPBF (INFIN)
Доступно 52676 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET,

IRF6618TR1PBF (INFIN)
Доступно 2134 шт. (под заказ)