IRF6617TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6617TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150762
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On8.1mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.35V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1300pF
Current, Idm Pulse120A
Marking, SMD6617
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ16ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V

Производитель: INFIN
IRF6617TR1.pdf
IRF6617TRPBF (INFIN)
Доступно 42806 шт. (под заказ)

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC