IRF6614TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6614TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150760
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont55A
Resistance, Rds On8.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2560pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C5.5nC
Current, Idm Pulse102A
Depth, External4.85mm
IC Package (Case style)ST
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6614
Pins, No. of7
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Resistance, Rds on Max8.3mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max2.25V
Voltage, Vgs th Min1.35V
Width, External3.95mm

Производитель: INFIN
IRF6614.pdf
IRF6614TRPBF (INFIN)
Доступно 187098 шт. (под заказ)

MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs