IRF6613TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6613TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150757
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont23A
Resistance, Rds On3.4mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ5950pF
Current, Idm Pulse180A
Depth, External6.35mm
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6613
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ38ns
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V
Width, External5.05mm

IRF6613TRPBF (INFIN)
Доступно 43558 шт. (под заказ)

MOSFET, N-CH, 40V, 150A, DIRECTFET MT-7