IRF6612TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6612TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150755
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On3.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ3970pF
Current, Idm Pulse190A
Marking, SMD6612
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ19ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V

Производитель: INFIN
IRF6612TR1.pdf