IRF6609TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6609TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150753
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont150A
Resistance, Rds On2mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.45V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ6290pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C26nC
Current, Idm Pulse250A
Depth, External6.35mm
IC Package (Case style)MT
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6609
Pins, No. of7
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Resistance, Rds on Max2.0mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ32ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max2.45V
Voltage, Vgs th Min1.55V
Width, External5.05mm

Производитель: INFIN
IRF6609TR1.pdf