IRF6608TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6608TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150750
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont55A
Resistance, Rds On9mohm
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2120pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C33nC
Current, Idm Pulse100A
Depth, External4.85mm
IC Package (Case style)ST
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6608
Pins, No. of7
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Resistance, Rds on Max9.0mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ31ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs Max12V
Voltage, Vgs th Max3V
Voltage, Vgs th Min1V
Width, External3.95mm