IRG4IBC30W (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4IBC30W
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 149904
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT, TO-220 FULLPAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max17A
Voltage, Vce Sat Max2.1V
Power Dissipation45W
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Icm Pulsed92A
Pins, No. of3
Power, Pd45W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall67ns
Time, Fall Typ67ns
Time, Rise16ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
IRG4IBC30W.pdf
IRG4IBC30WPBF (INFIN)
Доступно 8645 шт. (под заказ)

Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode,