IRFR9120N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR9120N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 142194
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)

MOSFET, P D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont6.6A
Resistance, Rds On0.48ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse26A
Marking, SMDIRFR9120N
Power Dissipation40W
Power, Pd40W
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max-4V

IRFR9120NTRLPBF (INFIN)
Доступно 20245 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRFR9120NTRR (INFIN)
Доступно 131 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. -100V. -6.5A.

IRFR9120NPBF (INFIN)
от 21,10 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P, -100V, -6.5A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:6.6A; Resistance, Rds On:0.48ohm;…

IRFR9120NTRPBF (INFIN)
от 20,20 Склад (1-2 дн)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:6.5A; On Resistance, Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D-Pak; Power Dissipation, Pd:40W