SKM200GB126D (Semikron Inc. )

Наименование SKM200GB126D
Производитель Semikron Inc. (SMK)
Артикул 141916
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)

IGBT MODULE, DUAL, 1200V

Transistor TypeIGBT Module
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max260A
Voltage, Vce Sat Max2.15V
Case StyleSEMITRANS 3
Termination TypeScrew
Centres, Fixing93mm
Current, Ic Continuous b Max190A
Current, Ic av260A
Current, Icm Pulsed200A
Depth, External61.4mm
Diameter, Fixing Hole5.4mm
Marking, SMDSEMITRANS 3
Power, Pd220W
Temperature, Current25°C
Time, Rise40ns
Transistors, No. of2
Voltage, Vceo1200V
Width, External105mm
Voltage1200V

FF200R12KE3HOSA1 (INFIN)
от 6360,00 Склад (1-2 дн)

IGBT Modules up to 1200V, Our well-known 62 mm 1200V dual IGBT modules with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency Diode a…

SKM100GB12T4G (SMK)
Доступно 16 шт. (под заказ)

В НАЛИЧИИ 4шт.
7990,00
Расчет доставки...