IRGP6650DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGP6650DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 1404575
RND Рекомендуется для новых разработок
Напряжение насыщения К-Э
Монтаж
Технология
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Конфигурация

IRGP6650DPBF - биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT TO-247 от International Rectifier.

Технические характеристики:

  • Конфигурация: Single 
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V 
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V 
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V 
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A 
  • Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA 
  • Рассеяние мощности: 306 W 
  • Максимальная рабочая температура: + 175 C
  • Минимальная рабочая температура: - 40 C  
  • Торговая марка: International Rectifier 
  • Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 80 A 
  • Корпус: TO-247AC-3 
  • Вид монтажа: Through Hole
  • RoHS: Соответствует RoHS
Производитель: INFIN
Даташит для IRGP6650DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
В НАЛИЧИИ 129шт.
134,00 от 15 шт. 134,00 от 32 шт. 134,00
Расчет доставки...