IRL530N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRL530N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 13829
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)

MOSFET, N LOGIC TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont15A
Resistance, Rds On0.1ohm
Case StyleTO-220AB
Current, Idm Pulse60A
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation63W
Power, Pd63W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max2V

IRL530NPBF (INFIN)
от 35,10 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:15A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:60A; Pins, No.…