EPC2007 (Efficient Power Conversion (EPC) Corporation)

EPC2007, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Наименование EPC2007
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation(EPC)
Артикул 1371541
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)

EPC2007 - eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss)100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs2.1nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds205pF @ 50V
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package/ CaseDie Outline (5-Solder Bar)

EPC2007 - eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор

EPC9508 (EPC)
Доступно 3 шт. (под заказ)

EPC9508 : ZVS Class-D amplifer board for wireless power transfer systems

В НАЛИЧИИ 17шт.
164,00 от 22 шт. 141,00 от 47 шт. 129,00
Расчет доставки...