EPC2007 (Efficient Power Conversion (EPC) Corporation)

Наименование EPC2007
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation(EPC)
Артикул 1371541
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Технология
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

EPC2007 - eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss)100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs2.1nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds205pF @ 50V
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package/ CaseDie Outline (5-Solder Bar)

EPC2007 - eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор

EPC9006 (EPC)

Отладочная плата полумоста на основе eGaN FET транзисторов с индуцированным каналом EPC2007

EPC9508 (EPC)

EPC9508 : ZVS усилители мощности класса D с рабочей частотой 6,78 МГц.

Использование нитрид-галлиевых полевых транзисторов, например, в обратноходовых преобразователях, позволяет добиваться значительного повышения эффективности источников питания. В данной статье раскрывается, за счет чего это происходит.

НЕТ В НАЛИЧИИ
Уведомить о поступлении
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()