EPC2007 (Efficient Power Conversion (EPC) Corporation)
| Наименование | EPC2007 |
| Производитель | Efficient Power Conversion (EPC) Corporation(EPC) |
| Артикул | 1371541 |
| Максимальная рабочая температура |
 |
| Минимальная рабочая температура |
 |
| Корпус |
 |
| Макс. напряжение Vdss |
 |
| Конфигурация и полярность |
 |
| Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса |
 |
| Rd(on) |
 |
| Технология |
 |
EPC2007 - eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор
Технические характеристики:
-
FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
- FET Feature Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss)100V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 6A, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA
- Gate Charge (Qg) @ Vgs2.1nC @ 5V
- Input Capacitance (Ciss) @ Vds205pF @ 50V
- Mounting Type Surface Mount
- Package/ CaseDie Outline (5-Solder Bar)
EPC9006
(EPC)
Отладочная плата полумоста на основе eGaN FET транзисторов с индуцированным каналом EPC2007
Основные преимущества использования GaN-транзисторов в источниках питания
28/12/2018 | GaN Systems
Использование нитрид-галлиевых полевых транзисторов, например, в обратноходовых преобразователях, позволяет добиваться значительного повышения эффективности источников питания. В данной статье раскрывается, за счет чего это происходит.
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.