IPW65R080CFDFKSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IPW65R080CFDFKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IPW65R080CFDFKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 1371043
RND Рекомендуется для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

IPW65R080CFDFKSA1 - MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2.

Технические характеристики:

  • Manufacturer: Infineon
  • Product Category: MOSFET
  • RoHS: RoHS Compliant Details
  • Technology: Si
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package/Case: TO-247-3
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Transistor Polarity: N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
  • Id - Continuous Drain Current: 43.3 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance: 72 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage: +/- 20 V
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V
  • Qg - Gate Charge: 167 nC
  • Maximum Operating Temperature: + 150 C
  • Packaging: Tube
  • Channel Mode: Enhancement
  • Brand: Infineon Technologies
  • Configuration: 1 N-Channel
  • Fall Time: 6 ns
  • Height: 21.1 mm
  • Length: 16.13 mm
  • Minimum Operating Temperature: - 55 C
  • Pd - Power Dissipation: 391 W
  • Rise Time: 18 ns
  • Series: XPW65R080
  • Factory Pack Quantity: 240
  • Tradename: CoolMOS
  • Transistor Type: 1 N-Channel
  • Typical Turn-Off Delay Time: 85 ns
  • Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
  • Width: 5.21 mm
  • Unit Weight: 38 g

 

IPW65R080CFDFKSA1

Производитель: INFIN
Даташит для IPW65R080CFDFKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IPW65R080CFD (INFIN)
Доступно 560 шт. (под заказ)

EVAL2KWZVSFBCFD2TOBO1 (INFIN)

2kW DCDC/ZVS full bridge stage 380/48 VDC, 96.6% peak efficiency

COOLMOS™ – высоковольтные MOSFET по рецепту INFINEON
20/09/2016 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Обширное семейство высоковольтных MOSFET CoolMOS™ производства компании Infineon – один из базовых стандартов отрасли, ее лидер по показателям КПД, а представитель семейства, линейка CoolMOS™ C7, имеет лучший в мире в своем классе показатель RDS(on).

Высоковольтные MOSFET в SMD-корпусе – реальность!
27/07/2017 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Упаковав в новой линейке C7 Gold передовую технологию производства MOSFET-транзисторов Superjunction в SMD-корпус нового поколения TOLL с выступающими по одной стороне выводами, компания Infineon задает новые стандарты производства высоковольтных MOSFET для современных силовых приложений, в которых необходимы ключи с жесткой коммутацией.

В НАЛИЧИИ 192шт.
407,00 от 9 шт. 349,00 от 19 шт. 320,00
Расчет доставки...