IRFS7530TRL7PP (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFS7530TRL7PP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFS7530TRL7PP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 1298624
RND Рекомендуется для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация
Channel Mode

60V StrongIRFET 240A 1.15/1.4mOhm 236nC

IRFS7530TRL7PP

IRFS7530-7PPBF (INFIN)
Доступно 15787 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

IRFS7534TRL7PP (INFIN)
Доступно 24447 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

IRFS7534-7PPBF (INFIN)
Доступно 870 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

В условиях применения в приложении с большими импульсными токами нагрузки силовые MOSFET с тонкими чипами и низким сопротивлением в проводящем состоянии обеспечивают значительное преимущество, но требуют аккуратного теплового расчета. В статье приводится образец такого расчета на примере MOSFET BSC014N04LS производства компании Infineon.

В НАЛИЧИИ 800шт.
170,00 от 21 шт. 146,00 от 46 шт. 134,00
Расчет доставки...