IRFS7530-7PPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFS7530-7PPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 1293642
RND Рекомендуется для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация
Channel Mode

60V StrongIRFET 240A 1.15/1.4mOhm 236nC

IRFS7530-7PPBF

IRFS7534TRL7PP (INFIN)
Доступно 2203 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

IRFS7530TRL7PP (INFIN)
от 167,00 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

IRFS7534-7PPBF (INFIN)
Доступно 864 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

В условиях применения в приложении с большими импульсными токами нагрузки силовые MOSFET с тонкими чипами и низким сопротивлением в проводящем состоянии обеспечивают значительное преимущество, но требуют аккуратного теплового расчета. В статье приводится образец такого расчета на примере MOSFET BSC014N04LS производства компании Infineon.

В НАЛИЧИИ 375шт.
200,00 от 17 шт. 172,00 от 37 шт. 158,00
Расчет доставки...