IRFB7530PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB7530PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 1293626
RND Рекомендуется для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Vgs th
Qg - Gate Charge
Channel Mode

60V StrongIRFET 195A 1.65/2.0mOhm 274nC

IRFB7530PBF

IRFB7534PBF (INFIN)
Доступно 74 шт. (под заказ)

MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB

IRFB7537PBF (INFIN)
от 88,50 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

IRFB7540PBF (INFIN)
Доступно 6879 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

IPB080N03L G (INFIN)
Доступно 2944 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB080N03LGATMA1 (INFIN)
Доступно 3776 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and Energy Efficiency for discret…

IRFB7546PBF (INFIN)
от 38,20 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

В условиях применения в приложении с большими импульсными токами нагрузки силовые MOSFET с тонкими чипами и низким сопротивлением в проводящем состоянии обеспечивают значительное преимущество, но требуют аккуратного теплового расчета. В статье приводится образец такого расчета на примере MOSFET BSC014N04LS производства компании Infineon.

В НАЛИЧИИ 58шт.
130,00 от 26 шт. 112,00 от 50 шт. 103,00
Расчет доставки...