IRFB4410 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB4410
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 129308
Напряжение для измерения Rds(on)
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Полевой транзистор. 100V. 96A.

IRFB4410PBF (INFIN)
от 74,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:96A; Resistance, Rds On:0.01ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:5150pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:380A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:220mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No.…

STP120NF10 (ST)
от 102,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 120 А; Rси(вкл): 10.5 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 172 нКл

IRFB4410ZPBF (INFIN)
от 62,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:97A; Resistance, Rds On:0.009ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4410; Charge, Gate N-channel:83nC; Current, Idm Pulse:390A; Pins, No.…