IRLR8103V (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLR8103V
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 128990
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Сравнить В избранное

MOSFET, N D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont91A
Resistance, Rds On0.0079ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse363A
Power Dissipation115W
Power, Pd115W
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Min1V

IRLR8103VTRPBF (INFIN)
Доступно 28309 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityFully Avalanche RatedLogic Lev…

IRLR8103VPBF (INFIN)
Доступно 43235 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Avalanche Rated

Сравнение позиций

  • ()