SI2333DDS-T1-GE3 (Vishay Intertechnology Inc. )

SI2333DDS-T1-GE3, Vishay Intertechnology Inc.
Наименование SI2333DDS-T1-GE3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 1270267
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация
Channel Mode

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

Производитель: VISHAY
Даташит для SI2333DDS-T1-GE3, Vishay Intertechnology Inc.
SI2333DS-T1-E3 (VISHAY)
Доступно 650251 шт. (под заказ)

MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-12V; Current, Id Cont:-5.3A; Resistance, Rds On:0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD