2N2369A (Samsung Electronics )

Наименование 2N2369A
Производитель Samsung Electronics (SAM)
Артикул 12539
Корпус
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Частота перехода ft

TRANSISTOR, NPN, TO-18

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo15V
Current, Ic Continuous a Max0.2A
Voltage, Vce Sat Max0.2V
Power Dissipation360mW
Hfe, Min40
ft, Typ500MHz
Case StyleTO-18
Termination TypeThrough Hole
Current, Ic @ Vce Sat10mA
Current, Ic Fall Time Measurement10mA
Current, Ic Max0.2A
Current, Ic hFE10mA
Pin Configurationa
Pins, No. of3
Power, Ptot360mW
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall @ Ic18ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo40V
ft, Min500MHz