IRF9Z34N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF9Z34N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF9Z34N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF9Z34N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF9Z34N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 11396
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:17A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:68A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:56W; Power, Pd:56W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:55V

IRF9Z34NPBF (INFIN)
от 24,90 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:17A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:68A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…