IRG4BC30F (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4BC30F
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 11395
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max31A
Voltage, Vce Sat Max1.9V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max180ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V

STGP19NC60S (ST)
Доступно 894 шт. (под заказ)

IRG4BC30FPBF (INFIN)
Доступно 2513 шт. (под заказ)

IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:31A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:120A; Pins, No.…