VEC2616-TL-H (On Semiconductor)

Наименование VEC2616-TL-H
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 1080408
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

Small Signal MOSFET 60V 3A 80 mOhm Complementary VEC8

IRF7343PBF (INFIN)
от 28,60 Склад (1-2 дн)

MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:NP; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:4.7A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:4.7A; Current, Id Cont P Channel:3.4A; Current, Idm Pulse:38A; Current, Idm Pulse N Channel 2:38A; Current, Idm Pulse P Channel:27A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F7343; Pins, No.…

IRF7343 (INFIN)
Доступно 152 шт. (под заказ)

MOSFET, DUAL NP LOGIC SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N/P; Current, Id Cont:4.7A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:4.7A; Current, Id Cont P Channel:3.4A; Current, Idm Pulse:38A; Current, Idm Pulse N Channel 2:38A; Current, Idm Pulse P Channel:27A; Marking, SMD:F7343; Pins, No.…