SIHG17N60D-E3 (Vishay Intertechnology Inc. )

Наименование SIHG17N60D-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 1044210
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация

силовой MOSFET

SPW11N60C3FKSA1 (INFIN)
Доступно 415733 шт. (под заказ)

600V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, Replacement for 600V CoolMOS™ C3 is 600V CoolMOS™ C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS™ C6/E6 Возможности

IPW60R330P6FKSA1 (INFIN)
Доступно 1432 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Infineons CoolMOS™ P6 product family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. Cool…

SIHG17N60D-GE3 (VISHAY)
Доступно 1259 шт. (под заказ)

MOSFET, N-CH, 600V, 17A, TO-247AC

SPW11N60C3 (INFIN)
Доступно 17175 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 600V, TO-247; Transistor Type:Enhancement; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:0.38ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…