NGD8201ANT4G (On Semiconductor)

Наименование NGD8201ANT4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 1033620
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 400 V

IRGS14C40LTRLP (INFIN)
от 103,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, 400V, 20A, TO-263AB-3

STGB10NB37LZT4 (ST)
от 131,00 Склад (1-2 дн)

IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 410 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 мкс

ISL9V3040D3ST (ONS-FAIR)
Доступно 58856 шт. (под заказ)

IGBT, SINGLE, 400V, 21A, TO-252AA-3

NGD8201ANT4G (LTL)
от 73,50 Склад (1-2 дн)

IGBT, SINGLE, N-CH, 440V, 20A, TO-252-3

STGB18N40LZT4 (ST)
Доступно 10949 шт. (под заказ)

IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V

STGB10NB37LZ (ST)
Доступно 469 шт. (под заказ)

IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 440 В; Iк@25°C: 20 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 нс