NGB8207BNT4G (On Semiconductor)

Наименование NGB8207BNT4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 1033616
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 365 V

ISL9V5036S3 (ONS-FAIR)
Доступно 77164 шт. (под заказ)

ISL9V5036P3_F085 (ONS-FAIR)
Доступно 417 шт. (под заказ)

IGBT, SINGLE, 360V, 46A, TO-220AB-3

ISL9V5036S3ST (ONS-FAIR)
Доступно 196268 шт. (под заказ)

LS: Transistor Transistor TypeIGBT Transistor PolarityN Channel Collector Emitter Voltage, Vces360