NGB8207ABNT4G (On Semiconductor)

Наименование NGB8207ABNT4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 1033615
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 365 V

ISL9V5036S3 (ONS-FAIR)
Доступно 77164 шт. (под заказ)

ISL9V5036S3ST (ONS-FAIR)
Доступно 196284 шт. (под заказ)

LS: Transistor Transistor TypeIGBT Transistor PolarityN Channel Collector Emitter Voltage, Vces360

ISL9V5036P3_F085 (ONS-FAIR)
Доступно 762 шт. (под заказ)

IGBT, SINGLE, 360V, 46A, TO-220AB-3