Даташит для IRF630NSPBF (INFIN)

 
Производитель: Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
IRF630NSPBF
IRF630NSPBF
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 210545 ИНФО PDF AN OBS
Доступно: 5461 шт.
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 200V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:575pF; Case Style, Alternate:D2-PAK; Charge, Gate N-channel:35nC; Current, Iar:9.3A; Current, Idm Pulse:37A; Current, Idss Max:25чA; Depth, External:15.49mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:8.2mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:94mJ; Length / Height, External:4.69mm; Marking, SMD:IRF630NS; Power Dissipation:82W; Power Dissipation, on 1 Sq.…
IRF630NSPBF
5461 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки