Даташит для M27C1001-12F1 (ST), M27C1001-12XF1 (ST), M27C1001-15F1 (ST), M27C1001-12C1 (ST), M27C1001-15F6 (ST), M27C1001-12F6 (ST), M27C1001-70F1 (ST)

 
Производитель: STMicroelectronics
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
M27C1001-12F1
M27C1001-12F1
STMicroelectronics
Арт.: 2537 ИНФО PDF OBS
Поиск
предложений
Энергонезависимая память - [DIP-32-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 1 Мбит; Организация: 128Kx8; Скорость: 120ns; Напряжение: 4.5...5.5 В
M27C1001-12F1
-
Поиск
предложений
M27C1001-12XF1
M27C1001-12XF1
STMicroelectronics
Арт.: 7451 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 120 нс. Напряжение питания +5 V +/-5%. Температурный диапазон 0/+70 С.
M27C1001-12XF1
-
Поиск
предложений
M27C1001-15F1
M27C1001-15F1
STMicroelectronics
Арт.: 7692 ИНФО PDF OBS
Поиск
предложений
Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 150 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон 0/+70 С.
M27C1001-15F1
-
Поиск
предложений
M27C1001-12C1
M27C1001-12C1
STMicroelectronics
Арт.: 13669 ИНФО PDF
Доступно: 34 шт.
Выбрать
условия
поставки
Электрически программируемая ИМС памяти EPROM, однократно программмируемая. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе PLCC32. Время обращения 120 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон 0/+70 С.
M27C1001-12C1
34 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
M27C1001-15F6
M27C1001-15F6
STMicroelectronics
Арт.: 16686 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 150 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон -40/+85 С.
M27C1001-15F6
-
Поиск
предложений
M27C1001-12F6
M27C1001-12F6
STMicroelectronics
Арт.: 19142 ИНФО PDF OBS
Доступно: 931 шт.
Выбрать
условия
поставки
Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 120 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон -40/+85 С.
M27C1001-12F6
931 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
M27C1001-70F1
M27C1001-70F1
STMicroelectronics
Арт.: 21711 ИНФО PDF OBS
Доступно: 115 шт.
Выбрать
условия
поставки
Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 70 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон 0/+70 С.
M27C1001-70F1
115 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки