Терраэлектроника

Практическая демонстрация влияния технологий IGBT5 и .XT на удельную мощность системы

Практическая демонстрация влияния технологий IGBT5 и .XT на  удельную мощность системыДальнейшее увеличение удельной рассеиваемой мощности и продление сроков эксплуатации мощных силовых модулей в настоящее время ограничены на уровне топологии полупроводникового кристалла и внутренних соединений. Разработчики из компании Infineon Technologies предлагают решение этой проблемы на базе нового поколения транзисторов IGBT5 с технологией .XT для формирования внутренних соединений в силовом модуле.

Статья в формате PDF (189 КБ)

Журнал: Новости электроники за 2016, №8, стр. 26-27

FF1400R17IP4BOSA1 FF1400R17IP4BOSA1 Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

1700V PrimePACK3 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and NTC. PDF ИНФО
57581,00 r
На складе: 2 шт.
Версия для печати версия для печати

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом