Новости по тегу POL, страница 1 из 1

Взросление цифровых систем питания

В статье рассматривается эволюция систем распределенного питания, начиная с момента появления в 1984 году первых высокочастотных DC/DC-преобразователей. В статье анализируются причины этой эволюции, а также освещаются некоторые из наиболее значимых изменений, коснувшихся распределенных систем питания.

GaN-транзисторы. Преимущества использования GaN-устройств в POL-преобразователях. Глава 4

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. Очередная глава посвящена вопросам использования GaN-транзисторов в POL-преобразователях. Как показывает практика, чтобы реализовать все преимущества GaN-транзисторов, необходимо правильно выбрать топологию источника питания и уделить максимум внимания некоторым вопросам трассировки и компоновки печатной платы.

GaN-транзисторы. Раскрываем потенциал GaN-транзисторов. Глава 3

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей при построении источников питания на примере POL-преобразователей. Также в статье рассказывается об особенностях интегральной микросхемы LMG5200 со встроенными нитрид-галлиевыми транзисторами от Texas Instruments.

Использование eGaN-транзисторов для построения источников питания. Часть 1: POL-источник питания 48/12 В на базе EPC2045 и модулей EPC9205

Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2045 и модулей EPC9205 при построении POL-источников питания 48/12 В.

Способы увеличения плотности мощности в DC-DC-преобразователях

Современное серверное и телекоммуникационное оборудование требует более мощных и малогабаритных POL-преобразователей, создание которых возможно за счет использования новых топологий преобразователей, современных МОП-транзисторов и более совершенных корпусных исполнений.

Как снизить энергопотребление портативной электроники. Часть II

Для вычислений в портативном устройстве в общем случае следует выбирать самый миниатюрный микроконтроллер (МК) из подходящих моделей. Но при всей простоте этой концепции выбрать МК не так легко, поскольку существует бесчисленное множество комбинаций из моделей процессора, энергонезависимой и энергозависимой памяти, периферийных устройств и портов ввода/ вывода.

Могут ли транзисторные схемы работать в субпороговом диапазоне напряжений?

Ответ на поставленный вопрос достаточно прост: да, могут. Некоторые транзисторы способны работать с напряжениями менее 0,9 В. Это позволяет добиваться совершенно фантастических показателей потребления. Например, ток потребления микросхемы часов реального времени (RTC) не превышает 14 нА.

Сравнение позиций

  • ()