Новости по тегу GaN, страница 1 из 2

Изделие на основе 108 МГц микроконтроллера общего назначения от компании GigaDevice GD32VF103CBT6 (128КБ Flash, 32КБ SRAM) с 32-битным ядром с открытой архитектурой RISC-V, с поддержкой набора команд RV32IMAC и функций быстрого прерывания, впечатляющим балансом вычислительной мощности, пониженного энергопотреблением и набора периферийных устройств. Плата поставляется с IPS RGB LCD дисплеем и поддерживает несколько методов загрузки: USB DFU, UART ISP, JTAG.

HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER.

Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники.

Силовые GaN-транзисторы, входящие в состав семейства LMG3410x, часто называются транзисторами с повышенной подвижностью электронов. Скорость переключений этих транзисторов очень высока и может задаваться в диапазоне от 30 В до 100 В/ нс при рабочих напряжениях 380 В...480 В. При таких скоростях переключений разработчики должны уделять повышенное внимание компоновке и трассировке печатной платы.

В статье впервые предлагается методика оценки устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения. Новая методика позволяет определить наиболее важные параметры силовых ключей с точки зрения защиты от выбросов напряжения, что является важным фактором при разработке надежных источников питания на базе GaN-транзисторов. В статье также впервые показано, что в реальных условиях GaN-транзисторы сохраняют работоспособность при воздействии скачков напряжения, возникающих в линиях питания.

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. Очередная глава посвящена вопросам использования GaN-транзисторов в POL-преобразователях. Как показывает практика, чтобы реализовать все преимущества GaN-транзисторов, необходимо правильно выбрать топологию источника питания и уделить максимум внимания некоторым вопросам трассировки и компоновки печатной платы.

Вы хотите выжать максимум тока из карбид-кремниевых транзисторов? Тогда Вам будет интересен обзор интегрального драйвера SIC1182K от компании Power Integrations.

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей при построении источников питания на примере POL-преобразователей. Также в статье рассказывается об особенностях интегральной микросхемы LMG5200 со встроенными нитрид-галлиевыми транзисторами от Texas Instruments.

Применение HEMT-транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC-преобразователей.

Плата расширения на базе сконфигурированных в полумост двух 600В/ 12 A силовых нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов LMG3411R070 с интегрированными драйверами затворов, всеми необходимыми цепями смещения, сдвига уровней, функциями защиты и вспомогательными периферийными цепями. Изделие предназначено для совместного использования с  материнской платой LMG34xx-BB-EVM (приобретается отдельно) или с платой собственной разработки. Такой комплект позволяет в кратчайшие сроки оценить возможности LMG34x1R070 и разработать на их основе AC/DC, DC/DC, DC/AC преобразователи напряжения, драйверы моторов и пр.

Расчет тепловых характеристик является весьма важным при решении задач с применением любых силовых электронных преобразователей. Оптимизированный тепловой расчет позволяет инженерам использовать компоненты на основе нитрида галлия (GaN) в широком диапазоне уровней мощности, топологий и областей применения. Давайте рассмотрим наиболее важные расчеты и компромиссы для семейства LMG341XRxxx GaN производства Texas Instruments, а также рекомендации по компоновке печатной платы, тепловому интерфейсу, выбору радиатора и методам монтажа. Также будут приведены примеры конструкций с использованием изделий на основе GaN на 50 и 70 мОм.

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей в высоковольтных приложениях.

Оценочная плата полумоста на основе 600 В нитрид-галлиевых GaN транзисторов и специальной микросхемы изолированного драйвера затвора GaN EiceDRIVER. Изделие  обеспечивает простую и быструю настройку и тестирование возможностей семейства транзисторов CoolGaN.

Оценочная плата полномостового CCM тотемно-полюсного 2500 Вт корректора коэффициента мощности с эффективностью более 99%, разработанного на основе нитрид галлиевых CoolGaN 600 В e-mode HEMT и CoolMOS SJ MOSFET транзисторов, ICE3 PFC контроллера в сочетании с драйверами 1EDi HV MOSFET. Плата демонстрирует высокую эффективность каскада PFC, в котором используется Infineon CoolGaN технология. Решение предназначено для таких критически важных приложений как сервера или выпрямители источников питания телекоммуникационных систем и может служить в качестве референс-дизайна.

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В первой главе выполняется общий обзор GaN-ключей, а также рассматриваются преимущества их использования в источниках питания. Надежные и проверенные кремниевые МОП-транзисторы по-прежнему остаются важнейшими элементами источников питания, но благодаря появлению новых технологий начинается постепенный переход на GaN-ключи.

Распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных проблем, главная из которых заключалась в необходимости согласования тепловых характеристик материалов в технологии «нитрид галлия на кремнии». Успешное решение повлекло за собой появление на рынке множества конкурентоспособных GaN-ключей. Появились и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Долгое время распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных технологических проблем. К счастью большая часть этих проблем осталась в прошлом, и на рынке появилось множество конкурентоспособных GaN-ключей. Более того, начали появляться и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Растущий рынок вычислительной техники и телекоммуникаций требует все более компактных решений с высокими показателями КПД и плотности мощности для промежуточных шинных преобразователей. Замечательным вариантом для таких задач является резонансный LLC-конвертер. По сравнению с кремниевыми полевыми транзисторами, полевые транзисторы eGaN с их сверхнизким сопротивлением и малыми паразитными емкостями выгодны для применения в резонансных LLC-преобразователях благодаря малому уровню потерь.

Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В данной статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2111 и модулей EPC9204 на примере создания DC/DC-преобразователя 12/1 В.

Нитрид-галлиевые транзисторы позволяют совершать прорывы в самых различных областях электроники, например, в источниках питания и в беспроводных системах связи. Они также обладают огромным потенциалом для медицинских приложений. Их миниатюрность, высокая эффективность и отличные динамические характеристики уже сейчас востребованы в диагностическом оборудовании, имплантатах и в медицинских роботах. В данной статье выполняется краткий обзор eGaN-транзисторов, которые компания epc рекомендует использовать в медицинских приложениях.