Новости по тегу FET, страница 1 из 1

МЭМС-реле: теперь и в силовых устройствах

В обзоре говорится о МЭМС-реле со встроенными FET (Field-Effect Transistor), которые могут использоваться в силовых устройствах, опровергая традиционное утверждение о применении МЭМС-компонентов исключительно в маломощной электронике. Автор статьи представляет детальный обзор технологий, позволяющих реализовать это решение на практике.

Устраняем заблуждения относительно внутреннего диода MOSFET

Проектировщики мощных импульсных цепей на основе полупроводниковых приборов с широкой запрещенной зоной часто допускают ошибки, связанные с режимом переключения транзисторов, которые потом дорого им обходятся.

Управление SiC-транзисторами. Часть 2

Данный цикл статей является переводом руководства TND6237/D. SiC MOSFETs: Gate Drive Optimization от компании ON Semiconductor. Во второй части цикла рассматриваются особенности построения драйвера для SiC-транзисторов. В статье предлагается два варианта реализации схемы управления: на базе дискретных компонентов и на базе интегрального драйвера NCP51705.

Управление SiC-транзисторами. Часть 1
| On Semiconductor
SiC

Данный цикл статей является переводом руководства "TND6237/D. SiC MOSFETs: Gate Drive Optimization от компании ON Semiconductor". Первая часть цикла посвящена рассмотрению основных характеристик карбида кремния, а также анализу статических и динамических характеристик SiC-транзисторов.

Компоненты Infineon для формовки аккумуляторных элементов питания

Один из важнейших технологических процессов в производстве литий-ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса.

Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники.

Дискретные полупроводники для IoT-устройств, автомобильной и портативной электроники

В статье дается обзор восьми дискретных компонентов, отвечающих самым высоким требованиям, характерным для многих современных быстроразвивающихся приложений.

Использование eGaN-транзисторов в лидарах. Часть 3

Данная статья является заключительной частью перевода руководства «APPLICATION NOTE: AN027 eGaN FETs for Lidar – Getting the Most Out of the EPC9126 Laser Driver Getting the Most» от компании epc. В ней рассматриваются особенности референсных драйверов EPC9126 и EPC9126HC.

Оценочный модуль для N-канальных  транзисторов FemtoFET

Изделие предназначено для тестирования N-канальных FemtoFET транзисторов CSD13380F3, CSD13383F4, CSD13385F5, CSD15380F3, CSD17381F4, CSD17585F5 и CSD18541F5 как непосредственно в приложении пользователя, так и отдельно от него. Транзисторы имеют крошечные размеры F3 (0.6x0.7мм), F4 (0.6x1.0мм) и F5 (0.8x1.5мм), а сама плата, на которой установлены популярные штыревые разъемы, является конструктивным интерфейсом между FemtoFET и платой приложения. Модуль разделен на семь отделяемых частей (карт), на каждой из которых имеется соответствующий транзистор. Плата поможет ускорить оценку и использование  в проекте транзисторов FemtoFET.

Использование eGaN-транзисторов в лидарах. Часть 2

В статье рассматривается алгоритм расчета параметров и компонентов лазерного драйвера, анализируются составляющие паразитной индуктивности, приводятся результаты испытаний референсных драйверов EPC9126 и EPC9126HC.

Управляющая Интегрированная Силовая Система (CIPOS™). Техническое описание CIPOS™ Mini IPM. Часть 1

В руководстве описывается семейство продуктов CIPOS™ Mini IPM и базовые требования для их функционирования в рекомендованном режиме.

Электропривод для робототехники: решения Infineon

Для современной робототехники – основы четвертой индустриальной революции – компания Infineon производит весь спектр компонентов: от дискретных силовых диодов и транзисторов, а также сборок и микросхем управления электроприводом до датчиков перемещения, концевых выключателей и специализированных защищенных микроконтроллеров. В статье рассмотрены решения компании для управления сервомоторами современных роботов.

Управление бесколлекторным двигателем, связь по Bluetooth и новое поколение транзисторов в одном проекте от Texas Instruments

Интерес потребителей к различным беспроводным решениям как никогда высок. Возможность подключения к информационным сетям и облачным серверам появляется даже у тех устройств, которые раньше слабо ассоциировались с беспроводными технологиями (счетчики, электроинструменты, бытовые приборы и т.д.). Одним из наиболее популярных беспроводных интерфейсов является Bluetooth. Интеграция Bluetooth может существенно увеличить габариты, стоимость и сложность устройств. Однако современные интегральные решения помогают решить эти проблемы.

Плата расширения для STM32 Nucleo  на основе низковольтного драйвера BLDC двигателя

Плата 3-фазного драйвера для BLDC/ PMSM двигателей на основе чипа L6398 в комбинации с силовым MOSFET STL220N6F7 и в сочетании с одной из плат STM32 Nucleo позволит разработчику реализовать 6-шаговый или векторный (FOC) алгоритм управления двигателем с высоким значением тока до 15 ARMS  при номинальном рабочем напряжении от 10 В до 48 В DC.

Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

Тепловые характеристики новых 650-вольтовых МОП-транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10x11,88x2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой коммутацией на мощность до 3 кВт в варианте SMD.

Эффективное использование низковольтных харвестеров энергии

Для питания инновационных IoT-устройств все шире используются различные харвестеры энергии. Однако работа с ними зачастую представляет проблему. В качестве примера можно привести встраиваемые в одежду низковольтные термоэлектрические генераторы. Данная статья посвящена новому типу MOSFET-транзисторов, которые предназначены специально для работы со сверхнизкими напряжениями.

Когда и почему выходят из строя MOSFET?
| On Semiconductor

Высокие температуры и другие параметры эксплуатационной среды, превышающие пределы безопасной работы, могут привести к выходу из строя полевых транзисторов, используемых в коммутационных цепях. В статье рассматриваются несколько базовых принципов, которые позволяют избежать повреждения MOSFET.

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как некогда стояла в авангарде этой технологии, когда она только появилась.

Высокоэффективные низковольтные MOSFET семейства OptiMOS 5 – где применять?

В пятом номере «Новостей электроники» мы писали о выборе транзистора из линейки OptiMOS™ производства Infineon для синхронных импульсных преобразователей, исходя из оптимального соотношения потерь проводимости и переключения. Если добавить к этому требование минимизации площади, занимаемой транзистором на печатной плате, и сокращения энергетических потерь – следует обратить внимание на новую серию OptiMOS™ 5.

Каскад привода трехфазного бесщеточного двигателя DC на основе предрайвера DRV8301

BOOSTXL-DRV8301 – каскад 10 А драйвера трехфазного бесщеточного двигателя постоянного тока на основе предрайвера DRV8301 и мощного 60 В N-канального транзистора MOSFET CSD18533Q5A NexFET™. Изделие хорошо подходит для желающих изучить методологию управления бесщеточным двигателем и дизайн каскада драйвера.

Сравнение позиций

  • ()