Радар A111 от компании Acconeer объединяет в одном корпусе интегральную микросхему, принимающую и передающую антенну. Схема подключения интегрального радара отличается максимальной простотой и требует всего нескольких внешних пассивных компонентов. При этом радары A111 позволяют не только определять расстояния до объектов с миллиметровой точностью, но и измерять амплитуду принимаемой ВЧ-волны.
Создание измерительных цепей для высокоимпедансных датчиков оказывается достаточно сложной задачей, то же самое можно сказать и о низкоомных датчиках с низким выходным напряжением. Для работы с датчиками в широком диапазоне сопротивлений используются особые измерительные приборы – потенциостаты. Компания PalmSens специализируется на производстве компактных потенциостатов, которые легко умещаются на ладони. Одной из наиболее любопытных разработок компании является универсальный потенциостат EmStat Pico, реализованный в виде модуля размером всего 30,5 x 18 x 2,6 мм.
Плотность размещения компонентов в современных электронных устройствах постоянно возрастает. Речь идет как о портативных, так и о стационарных приборах. Благодаря миниатюризации и плотному размещению элементов разработчикам удается умещать все больше функций во все меньшем объеме. Вместе с тем сам процесс разработки существенно усложняется по целому ряду причин. Одной из таких причин становится проблема отвода тепла.
Датчики REAL3 от Infineon используют ToF-технологию для измерения времени пролета ИК-импульсов света и построения трехмерной картины окружающего пространства. Главной особенностью этих сенсоров становится чувствительная матрица, способная не только фиксировать ИК-излучение, но и измерять амплитуду принимаемых сигналов. Благодаря компактным размерам, сенсоры REAL3 могут использоваться не только в промышленных приложениях, но и в компактных коммерческих устройствах, таких как современные смартфоны.
В данной статье обозреватель Билл Вонг рассматривает отладочный набор Alexa Voice Capture Development Kit для Amazon AVS от компании Cirrus Logic.
22 августа компания GigaDevice Semiconductor официально запустила семейство 32-битных микроконтроллеров общего назначения GD32V103 на базе открытого ядра RISC-V. В статье проводится краткий обзор нового семейства, его основных особенностей, а также существующих аппаратных и программных средств разработки и отладки.
Компания Kemet хорошо знакома разработчикам электроники как производитель широкой номенклатуры качественных конденсаторов (керамических, пленочных и танталовых). Однако Kemet также специализируется на производстве различных сенсоров, в том числе пироэлектрических датчиков приближения серии PL и готовых модулей на их основе. Об этих продуктах и пойдет речь в данной статье.
Силовые GaN-транзисторы, входящие в состав семейства LMG3410x, часто называются транзисторами с повышенной подвижностью электронов. Скорость переключений этих транзисторов очень высока и может задаваться в диапазоне от 30 В до 100 В/ нс при рабочих напряжениях 380 В...480 В. При таких скоростях переключений разработчики должны уделять повышенное внимание компоновке и трассировке печатной платы.
Вы хотите выжать максимум тока из карбид-кремниевых транзисторов? Тогда Вам будет интересен обзор интегрального драйвера SIC1182K от компании Power Integrations.
Для получения высокой степени отражения необходимо использовать высокочастотные электромагнитные волны (десятки и сотни ГГц), но разработка таких высокочастотных устройств является сложной задачей. Компания Silicon Radar предлагает готовые решения в виде интегральных радарных микросхем.
Расчет тепловых характеристик является весьма важным при решении задач с применением любых силовых электронных преобразователей. Оптимизированный тепловой расчет позволяет инженерам использовать компоненты на основе нитрида галлия (GaN) в широком диапазоне уровней мощности, топологий и областей применения. Давайте рассмотрим наиболее важные расчеты и компромиссы для семейства LMG341XRxxx GaN производства Texas Instruments, а также рекомендации по компоновке печатной платы, тепловому интерфейсу, выбору радиатора и методам монтажа. Также будут приведены примеры конструкций с использованием изделий на основе GaN на 50 и 70 мОм.
Распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных проблем, главная из которых заключалась в необходимости согласования тепловых характеристик материалов в технологии «нитрид галлия на кремнии». Успешное решение повлекло за собой появление на рынке множества конкурентоспособных GaN-ключей. Появились и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.
Долгое время распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных технологических проблем. К счастью большая часть этих проблем осталась в прошлом, и на рынке появилось множество конкурентоспособных GaN-ключей. Более того, начали появляться и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.
Растущий рынок вычислительной техники и телекоммуникаций требует все более компактных решений с высокими показателями КПД и плотности мощности для промежуточных шинных преобразователей. Замечательным вариантом для таких задач является резонансный LLC-конвертер. По сравнению с кремниевыми полевыми транзисторами, полевые транзисторы eGaN с их сверхнизким сопротивлением и малыми паразитными емкостями выгодны для применения в резонансных LLC-преобразователях благодаря малому уровню потерь.
Какими должны быть датчики? В последнее время ответить на этот вопрос становится все сложнее, так как на рынке постоянно появляются различные уникальные решения. Некоторые из них не находят какого-либо существенного приложения, а другие наоборот оказываются востребованными. В данной статье проводится краткий обзор технологии и особенностей новых гибких датчиков деформации от Bend Labs.
Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В данной статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2111 и модулей EPC9204 на примере создания DC/DC-преобразователя 12/1 В.
Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2045 и модулей EPC9205 при построении POL-источников питания 48/12 В.
Нитрид-галлиевые транзисторы позволяют совершать прорывы в самых различных областях электроники, например, в источниках питания и в беспроводных системах связи. Они также обладают огромным потенциалом для медицинских приложений. Их миниатюрность, высокая эффективность и отличные динамические характеристики уже сейчас востребованы в диагностическом оборудовании, имплантатах и в медицинских роботах. В данной статье выполняется краткий обзор eGaN-транзисторов, которые компания epc рекомендует использовать в медицинских приложениях.
Данная публикация является третьей частью перевода руководства «Application Note. MM3100 – 6 Channel SPST Digital-Micro-Switch» от Menlo Micro. В статье рассказывается об особенностях проектирования печатной платы и монтаже 6-канальных МЭМС-коммутаторов MM3100.
Данная публикация является второй частью перевода руководства «Application Note. MM3100 – 6 Channel SPST Digital-Micro-Switch» от Menlo Micro. В статье рассматриваются примеры и особенности использования 6-канального МЭМС-коммутатора MM3100.
