Новости по тегу Транзисторы, страница 1 из 2

Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER.

GaN-транзисторы. Преимущества использования GaN-устройств в POL-преобразователях. Глава 4

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. Очередная глава посвящена вопросам использования GaN-транзисторов в POL-преобразователях. Как показывает практика, чтобы реализовать все преимущества GaN-транзисторов, необходимо правильно выбрать топологию источника питания и уделить максимум внимания некоторым вопросам трассировки и компоновки печатной платы.

Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon

Применение HEMT-транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC-преобразователей.

Дискретные полупроводники для IoT-устройств, автомобильной и портативной электроники

В статье дается обзор восьми дискретных компонентов, отвечающих самым высоким требованиям, характерным для многих современных быстроразвивающихся приложений.

GaN-транзисторы. Путь к высокой эффективности в высоковольтных приложениях. Глава 2

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей в высоковольтных приложениях.

GaN-транзисторы. Новая страница в истории силовых схем. Глава 1

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В первой главе выполняется общий обзор GaN-ключей, а также рассматриваются преимущества их использования в источниках питания. Надежные и проверенные кремниевые МОП-транзисторы по-прежнему остаются важнейшими элементами источников питания, но благодаря появлению новых технологий начинается постепенный переход на GaN-ключи.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 7: синфазные помехи в обратноходовых преобразователях

Cтатья является седьмой в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней выполняется анализ синфазных шумов, генерируемых изолированными обратноходовыми DC/DC-преобразователями. Кроме того, в статье предлагается алгоритм по созданию простой шумовой модели преобразователя, включающей двухконденсаторную эквивалентную схему трансформатора.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 6: борьба с помехами в DC/DC-преобразователях с дискретными МОП-транзисторами

Статья является шестой в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней рассказывается о методах борьбы с помехами в преобразователях с дискретными МОП-транзисторами.

Использование eGaN-транзисторов в медицинской технике

Нитрид-галлиевые транзисторы позволяют совершать прорывы в самых различных областях электроники, например, в источниках питания и в беспроводных системах связи. Они также обладают огромным потенциалом для медицинских приложений. Их миниатюрность, высокая эффективность и отличные динамические характеристики уже сейчас востребованы в диагностическом оборудовании, имплантатах и в медицинских роботах. В данной статье выполняется краткий обзор eGaN-транзисторов, которые компания epc рекомендует использовать в медицинских приложениях.

Способы увеличения плотности мощности в DC-DC-преобразователях

Современное серверное и телекоммуникационное оборудование требует более мощных и малогабаритных POL-преобразователей, создание которых возможно за счет использования новых топологий преобразователей, современных МОП-транзисторов и более совершенных корпусных исполнений.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC/DC-преобразователях. Часть 5: борьба с помехами в схемах с интегральными преобразователями

Статья является пятой в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней рассказывается о методах борьбы с помехами в схемах с интегральными преобразователями со встроенными силовыми МОП-транзисторами, а также рассматриваются особенности корпусных исполнений интегральных преобразователей.

Внедрение SiC MOSFET приобретает массовый характер

Компания Infineon предлагает богатый выбор силовых карбид-кремниевых транзисторов семейства CoolSiC™ и специализированные драйверы, которые могут быть использованы в самых различных приложениях, таких, например, как инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания (ИБП), приводы электродвигателей, системы заряда аккумуляторов и системы хранения энергии.

Основные преимущества использования GaN-транзисторов в источниках питания

Использование нитрид-галлиевых полевых транзисторов, например, в обратноходовых преобразователях, позволяет добиваться значительного повышения эффективности источников питания. В данной статье раскрывается, за счет чего это происходит.

Преимущества SiC и GaN в автомобильных приложениях

Автомобильные SiC-диоды и МОП-транзисторы сейчас становятся нормой для автомобильной отрасли, где они позволяют значительно снизить потери мощности и повысить эффективность. Новые GaN-транзисторы с улучшенной архитектурой обеспечивают очень высокое быстродействие и КПД до 98%.

Силовые GaN-транзисторы: преимущества, рекомендации по использованию

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

Как защититься от переполюсовки напряжения питания?

Питающее напряжение обратной полярности представляет угрозу для незащищенных электронных устройств. Такая ситуация может возникать как из-за неверной установки батареек, так и из-за переполюсовки клемм источника питания. Чтобы избежать подобных проблем используют разъемы с ключами, которые не позволяют выполнить неправильное подключение. К сожалению, такое решение не всегда возможно.

Защита от напряжений обратной полярности с помощью «идеальных диодов»

При разработке электронных устройств с батарейным питанием крайне важно предусмотреть защиту от неправильной установки батареек, чтобы обезопасить электронные компоненты от напряжения обратной полярности. В случаях с дисковыми элементами питания, как и в автомобильных приложениях, где обратная полярность возникает при неверном подключении клемм аккумулятора, для защиты приходится использовать дополнительные электронные компоненты.

Могут ли транзисторные схемы работать в субпороговом диапазоне напряжений?

Ответ на поставленный вопрос достаточно прост: да, могут. Некоторые транзисторы способны работать с напряжениями менее 0,9 В. Это позволяет добиваться совершенно фантастических показателей потребления. Например, ток потребления микросхемы часов реального времени (RTC) не превышает 14 нА.

Новые драйверы GaN-транзисторов от Texas Instruments

Недавно компания Texas Instruments выпустила новые драйверы LMG1020 и LMG1210, способные работать на частотах 50 МГц и 60 МГц, соответственно. Важными достоинствами LMG1210 являются низкие задержки распространения управляющих сигналов 10 нс и отличное согласование задержек между верхним и нижним каналами – не хуже 1,5 нс, что позволяет выбирать минимально возможную длительность мертвого времени, и как следствие, увеличивать КПД полумостового преобразователя на 5%.

Сравнение позиций

  • ()