Новости по тегу Транзисторы, страница 1 из 1

Внедрение SiC MOSFET приобретает массовый характер

Компания Infineon предлагает богатый выбор силовых карбид-кремниевых транзисторов семейства CoolSiC™ и специализированные драйверы, которые могут быть использованы в самых различных приложениях, таких, например, как инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания (ИБП), приводы электродвигателей, системы заряда аккумуляторов и системы хранения энергии.

Основные преимущества использования GaN-транзисторов в источниках питания

Использование нитрид-галлиевых полевых транзисторов, например, в обратноходовых преобразователях, позволяет добиваться значительного повышения эффективности источников питания. В данной статье раскрывается, за счет чего это происходит.

Преимущества SiC и GaN в автомобильных приложениях

Автомобильные SiC-диоды и МОП-транзисторы сейчас становятся нормой для автомобильной отрасли, где они позволяют значительно снизить потери мощности и повысить эффективность. Новые GaN-транзисторы с улучшенной архитектурой обеспечивают очень высокое быстродействие и КПД до 98%.

Силовые GaN-транзисторы: преимущества, рекомендации по использованию

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

Как защититься от переполюсовки напряжения питания?

Питающее напряжение обратной полярности представляет угрозу для незащищенных электронных устройств. Такая ситуация может возникать как из-за неверной установки батареек, так и из-за переполюсовки клемм источника питания. Чтобы избежать подобных проблем используют разъемы с ключами, которые не позволяют выполнить неправильное подключение. К сожалению, такое решение не всегда возможно.

Защита от напряжений обратной полярности с помощью «идеальных диодов»

При разработке электронных устройств с батарейным питанием крайне важно предусмотреть защиту от неправильной установки батареек, чтобы обезопасить электронные компоненты от напряжения обратной полярности. В случаях с дисковыми элементами питания, как и в автомобильных приложениях, где обратная полярность возникает при неверном подключении клемм аккумулятора, для защиты приходится использовать дополнительные электронные компоненты.

Могут ли транзисторные схемы работать в субпороговом диапазоне напряжений?

Ответ на поставленный вопрос достаточно прост: да, могут. Некоторые транзисторы способны работать с напряжениями менее 0,9 В. Это позволяет добиваться совершенно фантастических показателей потребления. Например, ток потребления микросхемы часов реального времени (RTC) не превышает 14 нА.

Новые драйверы GaN-транзисторов от Texas Instruments

Недавно компания Texas Instruments выпустила новые драйверы LMG1020 и LMG1210, способные работать на частотах 50 МГц и 60 МГц, соответственно. Важными достоинствами LMG1210 являются низкие задержки распространения управляющих сигналов 10 нс и отличное согласование задержек между верхним и нижним каналами – не хуже 1,5 нс, что позволяет выбирать минимально возможную длительность мертвого времени, и как следствие, увеличивать КПД полумостового преобразователя на 5%.

Эффективное использование низковольтных харвестеров энергии

Для питания инновационных IoT-устройств все шире используются различные харвестеры энергии. Однако работа с ними зачастую представляет проблему. В качестве примера можно привести встраиваемые в одежду низковольтные термоэлектрические генераторы. Данная статья посвящена новому типу MOSFET-транзисторов, которые предназначены специально для работы со сверхнизкими напряжениями.

Выбор ВЧ-диодов и ВЧ-транзисторов для современного беспроводного мира

К основным дискретным ВЧ п/п-приборам относятся PIN-диоды, диоды Шоттки и ВЧ-транзисторы. При выборе элементной базы разработчики руководствуются рядом критериев – чувствительностью системы, помехоустойчивостью, КПД и другими характеристиками. По мере уменьшения габаритных размеров беспроводных устройств ключевым фактором становится наличие высокоэффективных п/п-приборов, выполненных в различных типах корпусов, что позволяет разработчику разместить устройство в ограниченном объеме.

Нитрид-галлиевые силовые ключи и платформа All-Switch от VisIC Technologies (Application note AN01V650)

В данной статье рассматриваются характеристики и особенности корпусных исполнений силовых GaN-модулей от VisIC. Особый акцент делается на применение GaN-технологии для высоковольтных, высокомощных и высокочастотных приложений.

Как запитать ноутбук без проводов. Новые демонстрационные наборы от EPC

Один из крупнейших производителей GaN-транзисторов компания EPC предлагает к услугам пользователей четыре демонстрационных набора, которые позволяют ознакомиться с особенностями беспроводных систем передачи энергии. Между собой наборы отличаются уровнем передаваемой мощности. Если с помощью EPC9127 можно зарядить смартфон, то EPC9120 позволит запитать небольшой ноутбук.

Сравнение позиций

  • ()