Новости по тегу ИС, страница 1 из 3

Гибридная технология GMOV: улучшенная защита от перенапряжений

Металлооксидные варисторы (MOV-варисторы) используются для защиты устройств от мощных помех. Они обладают целым рядом достоинств. Вместе с тем MOV-варисторы также имеют и некоторые недостатки. В статье оценивается эффективность использования металлооксидных варисторов (MOV-варисторов) для защиты от перенапряжений, а также анализируются возможные причины их деградации с последующими аварийными отказами, а также описывается новейшая технология GMOV от Bourns, позволяющая устранить эти недостатки и повысить надежность и безопасность устройств, работающих в жестких условиях.

11 мифов о цифровых источниках питания

Цифровые преобразователи напряжения. Что это: новая эпоха в истории источников питания или бесполезная роскошь? Мы проанализируем наиболее популярные мифы о цифровых преобразователях, чтобы лучше понять их достоинства и недостатки.

Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER.

Fanso и счетчики: применение литиевых батареек в электронных приборах учета энергоресурсов

Счетчики энергоресурсов устанавливаются на длительный срок, и климатические условия в процессе их эксплуатации могут быть жесткими. Литиевые батарейки компании Fanso отвечают самым высоким требованиям.

GaN-транзисторы. Преимущества использования GaN-устройств в POL-преобразователях. Глава 4

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. Очередная глава посвящена вопросам использования GaN-транзисторов в POL-преобразователях. Как показывает практика, чтобы реализовать все преимущества GaN-транзисторов, необходимо правильно выбрать топологию источника питания и уделить максимум внимания некоторым вопросам трассировки и компоновки печатной платы.

Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon

Применение HEMT-транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC-преобразователей.

Дискретные полупроводники для IoT-устройств, автомобильной и портативной электроники

В статье дается обзор восьми дискретных компонентов, отвечающих самым высоким требованиям, характерным для многих современных быстроразвивающихся приложений.

GaN-транзисторы. Путь к высокой эффективности в высоковольтных приложениях. Глава 2

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей в высоковольтных приложениях.

GaN-транзисторы. Новая страница в истории силовых схем. Глава 1

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В первой главе выполняется общий обзор GaN-ключей, а также рассматриваются преимущества их использования в источниках питания. Надежные и проверенные кремниевые МОП-транзисторы по-прежнему остаются важнейшими элементами источников питания, но благодаря появлению новых технологий начинается постепенный переход на GaN-ключи.

Infineon решает проблему колебания потенциала земли

При управлении высоковольтным МОП-транзистором в нижнем плече импульсного источника питания драйверы затвора 1EDN7550B и 1EDN8550B производства Infineon обеспечивают устойчивость к смещениям земли в конструкциях с большими однослойными печатными платами или при больших расстояниях между ШИМ-контроллером и драйвером затвора.

Символьные и графические: PMOLED-дисплеи Winstar

Долгое время из-за технических сложностей, сопровождающих еще не отлаженные технологии, OLED-дисплеям не удавалось всерьез состязаться в популярности с традиционными ЖК-индикаторами. Однако в последнее время ситуация изменилась, и на рынке появляются недорогие и качественные OLED-дисплеи. Одно из первых мест среди их производителей занимает компания Winstar Display.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 7: синфазные помехи в обратноходовых преобразователях

Cтатья является седьмой в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней выполняется анализ синфазных шумов, генерируемых изолированными обратноходовыми DC/DC-преобразователями. Кроме того, в статье предлагается алгоритм по созданию простой шумовой модели преобразователя, включающей двухконденсаторную эквивалентную схему трансформатора.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 6: борьба с помехами в DC/DC-преобразователях с дискретными МОП-транзисторами

Статья является шестой в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней рассказывается о методах борьбы с помехами в преобразователях с дискретными МОП-транзисторами.

Использование eGaN-транзисторов в медицинской технике

Нитрид-галлиевые транзисторы позволяют совершать прорывы в самых различных областях электроники, например, в источниках питания и в беспроводных системах связи. Они также обладают огромным потенциалом для медицинских приложений. Их миниатюрность, высокая эффективность и отличные динамические характеристики уже сейчас востребованы в диагностическом оборудовании, имплантатах и в медицинских роботах. В данной статье выполняется краткий обзор eGaN-транзисторов, которые компания epc рекомендует использовать в медицинских приложениях.

Способы увеличения плотности мощности в DC-DC-преобразователях

Современное серверное и телекоммуникационное оборудование требует более мощных и малогабаритных POL-преобразователей, создание которых возможно за счет использования новых топологий преобразователей, современных МОП-транзисторов и более совершенных корпусных исполнений.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC/DC-преобразователях. Часть 5: борьба с помехами в схемах с интегральными преобразователями

Статья является пятой в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней рассказывается о методах борьбы с помехами в схемах с интегральными преобразователями со встроенными силовыми МОП-транзисторами, а также рассматриваются особенности корпусных исполнений интегральных преобразователей.

Основы измерения тока: Часть 3. Funnel-усилители

Чувствительность по току является важной функцией в электронных системах, но сопровождается рядом сложных аспектов, которые часто недооцениваются. В первой части этого цикла статей обсуждались современные токоизмерительные резисторы. Во второй - конструкция и использование усилителей для повышения развиваемого на резисторах напряжения до приемлемых уровней. В третьей части обсуждается использование так называемых Funnel-усилителей при измерении тока в тех случаях, когда нагрузка управляется высокими напряжениями.

Материалы вебинара «Программирование LED-драйверов Philips Xitanium для современного освещения»

Предлагаем вашему вниманию материалы вебинара, посвященного функциональным возможностям программируемых светодиодных источников питания Philips Xitanium. На мероприятии так же были затронуты вопросы бесконтактного программирования и диагностики с использованием технологии SimpleSet на основе NFC.

Основы измерения тока: Токоизмерительные усилители. Часть 2

В первой части этой статьи обсуждались особенности токоизмерительных резисторов. Во второй части рассмотрим конструкцию и использование усилителей для повышения до приемлемых уровней развиваемого на этих резисторах напряжения.

Сравнение позиций

  • ()