Новости Efficient Power Conversion (EPC) Corporation, страница 1 из 2

Повышение КПД: DC/DC-преобразователи 48…12 В, 60 А на многофазном понижающем преобразователе EPC9130

Модуль EPC9130, выполненный в виде неизолированного полностью регулируемого пятифазного синхронного понижающего преобразователя, обеспечивает плотность мощности приблизительно 1000 Вт/дюйм3 и максимальную эффективность 96,2%, а также способен выдавать мощность до 720 Вт (60 А).

Полевые транзисторы eGaN® позволяют достичь в резонансном LLC-конвертере 48…12 В КПД выше 98%

Растущий рынок вычислительной техники и телекоммуникаций требует все более компактных решений с высокими показателями КПД и плотности мощности для промежуточных шинных преобразователей. Замечательным вариантом для таких задач является резонансный LLC-конвертер. По сравнению с кремниевыми полевыми транзисторами, полевые транзисторы eGaN с их сверхнизким сопротивлением и малыми паразитными емкостями выгодны для применения в резонансных LLC-преобразователях благодаря малому уровню потерь.

Использование eGaN-транзисторов для построения источников питания. Часть 2: DC/DC-преобразователь 12/1 В на базе EPC2111 и модулей EPC9204

Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В данной статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2111 и модулей EPC9204 на примере создания DC/DC-преобразователя 12/1 В.

Использование eGaN-транзисторов для построения источников питания. Часть 1: POL-источник питания 48/12 В на базе EPC2045 и модулей EPC9205

Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2045 и модулей EPC9205 при построении POL-источников питания 48/12 В.

Использование eGaN-транзисторов в медицинской технике

Нитрид-галлиевые транзисторы позволяют совершать прорывы в самых различных областях электроники, например, в источниках питания и в беспроводных системах связи. Они также обладают огромным потенциалом для медицинских приложений. Их миниатюрность, высокая эффективность и отличные динамические характеристики уже сейчас востребованы в диагностическом оборудовании, имплантатах и в медицинских роботах. В данной статье выполняется краткий обзор eGaN-транзисторов, которые компания epc рекомендует использовать в медицинских приложениях.

Использование eGaN-транзисторов в лидарах. Часть 3

Данная статья является заключительной частью перевода руководства «APPLICATION NOTE: AN027 eGaN FETs for Lidar – Getting the Most Out of the EPC9126 Laser Driver Getting the Most» от компании epc. В ней рассматриваются особенности референсных драйверов EPC9126 и EPC9126HC.

Использование eGaN-транзисторов в лидарах. Часть 2

В статье рассматривается алгоритм расчета параметров и компонентов лазерного драйвера, анализируются составляющие паразитной индуктивности, приводятся результаты испытаний референсных драйверов EPC9126 и EPC9126HC.

Использование eGaN-транзисторов в лидарах. Часть 1

Данная статья является первой частью перевода руководства «APPLICATION NOTE: AN027 eGaN FETs for Lidar – Getting the Most Out of the EPC9126 Laser Driver Getting the Most» от компании epc. В ней рассматривается принцип работы и основные особенности лидаров, а также проводится краткий обзор референсных драйверов EPC9126 и EPC9126HC.

Нитрид галлия для всех. Обзор отладочных и оценочных наборов от EPC. Часть II

Данная статья является второй в цикле публикаций, посвященных средствам разработки от EPC, на этот раз речь пойдет об оценочных наборах, которые представляют собой законченные функциональные устройства.

Нитрид галлия для всех. Обзор отладочных и оценочных наборов от EPC. Часть I

Компания EPC является одним из лидеров в области производства нитрид-галлиевых транзисторов. В настоящий момент eGaN-ключи от EPC по многим показателям превосходят кремниевые транзисторы, поэтому интерес к ним со стороны разработчиков все время возрастает. Чтобы упростить жизнь пользователям при внедрении eGaN-ключей, EPC предлагает более пятидесяти различных отладочных и оценочных наборов. В первой статье данного цикла – краткий обзор всех доступных отладочных наборов от EPC.

Как запитать ноутбук без проводов. Новые демонстрационные наборы от EPC

Один из крупнейших производителей GaN-транзисторов компания EPC предлагает к услугам пользователей четыре демонстрационных набора, которые позволяют ознакомиться с особенностями беспроводных систем передачи энергии. Между собой наборы отличаются уровнем передаваемой мощности. Если с помощью EPC9127 можно зарядить смартфон, то EPC9120 позволит запитать небольшой ноутбук.

Твердая пятерка. Новое поколение eGaN-транзисторов от EPC

Компания EPC анонсировала очередное, уже пятое по счету (Gen5), поколение своих нитрид-галлиевых транзисторов с улучшенной структурой eGaN. Новые транзисторы по-прежнему представляют собой нормально разомкнутые ключи, но отличаются от предшественников четвертого поколения (Gen4) вдвое меньшими габаритами и улучшенными динамическими характеристиками. Пока что речь идет о трех представителях EPC2045, EPC2046, и EPC2047 с сопротивлениями каналов 7 мОм, 25 мОм и 10 мОм, соответственно.

Демонстрационная система беспроводной передачи энергии от EPC

На портале Унитера периодически появляются новости о системах беспроводной передачи энергии от разных компаний. При этом, они зачастую строятся на базе нитрид-галлиевых транзисторов от EPC. На этот раз в статье будет рассмотрен демонстрационный набор системы беспроводной передачи энергии EPC9511 от самой EPC. Во-первых, он представляет собой законченную платформу для беспроводной передачи энергии. Во-вторых, EPC9511 поддерживает наиболее популярные стандарты Qi/PMA и Air Fuel™. В-третьих, силовой передатчик EPC9511 использует новые транзисторные сборки EPC2107.

Применение eGaN-транзисторов в источниках питания для Envelope Tracking

Современные технологии беспроводной передачи данных по радиоканалу, такие как 4G LTE, требуют достаточно мощного источника питания. При этом кроме большой выходной мощности необходимо обеспечить и его высокую эффективность. Это особенно важно в случае мобильных устройств с аккумуляторным питанием. Для выполнения этих требований было разработано несколько решений. Одним из них стала технология Envelope Tracking, которая получает дополнительное преимущество при использовании силовых нитрид-галлиевых GaN-транзисторов. В статье рассматриваются практические результаты, достигнутые при реализации источника питания для Envelope Tracking на транзисторах EPC8004 от компании EPC.

Применение eGaN в системах беспроводной передачи энергии

Беспроводная передача энергии – чрезвычайно перспективная область электроники. В рамках рубрики УНИТЕРЫ рассматривались различные примеры ее реализации: от слаботочных зарядных устройств для смартфонов, до мощных автомобильных решений. Так, например, компания WiTricityпредлагает технологию, позволяющую передавать без проводов от 10 Вт до 3,3 кВт. Силовая часть в таких схемах работает на повышенных частотах 6,78 МГц. Именно в этих приложениях можно наиболее полно раскрыть потенциал eGaN-транзисторов от компании EPC.

Оптимизированная плата полумоста EPC9201 на основе eGAN FET транзисторов

Отладочная плата полумостового преобразователя (30 В, 40 А) "Plug and Play" предназначена для быстрой и простой оценки эффективности мощных нитрид галлиевых силовых транзисторов, их оптимальной компоновки вместе с другими компонентами.

Новые eGaN транзисторы от EPC: еще больше тока

Линейка нитрид-галлиевых транзисторов с улучшенной структурой eGaN® от компании EPC регулярно пополняется новыми представителями. При этом их токовая нагрузка постоянно растет. Последними новинками стали EPC2033 и EPC2034 с величиной постоянного тока 31 А.

Модули DrGaNPLUS - как начать работать с eGaN-транзисторами без лишней головной боли

Новые технологии не всегда принимаются сообществом разработчиков с распростертыми объятиями. Иногда даже самые прорывные продукты вначале вызывают недоверие. Не стала исключением и новая технология eGaN® транзисторов и транзисторных сборок от компании EPC. Характеристики этих силовых ключей во многих случаях значительно превосходят характеристики привычных кремниевых транзисторов. eGaN имеют меньшее сопротивление открытого канала, большее быстродействие и удельную мощность, высокую стабильность свойств при воздействии радиации и изменении температуры.

Исследуем eGaN на электромагнитные помехи

В последнее время все большее распространение получают полупроводниковые изделия на основе нитрида галлия GaN, отличающиеся от кремниевых изделий большими скоростями переключения и эффективностью. Активное участие в продвижении GaN-технологий принимает компания EPC, разработавшая и реализовавшая на практике технологию еGaN (enhanced GaN), улучшающую и без того хорошие характеристики силовых GaN-транзисторов.

В резонансе с новой технологией. Транзисторные eGaN-сборки EPC2107 и EPC2108

Желание окончательно отказаться от проводных коммуникаций побудило производителей электроники к разработке технологий беспроводной передачи энергии. Новый стандарт беспроводной передачи энергии AVP4, получивший название Rezence, основан на эффекте магнитного резонанса, том же самом, который используется в медицинских томографах, но для его реализации в мобильных устройствах. Для поддержки нового стандарта беспроводной зарядки компания EPC представила новые транзисторные eGaN-сборки EPC2107 (100 В) и EPC2108 (60 В), предназначенные для полумостовых преобразователей напряжения.

Сравнение позиций

  • ()