Новости по тегу Гибридные, электрические и железнодорожные системы питания, страница 1 из 5

Оценочная плата для микросхемы синхронного понижающего DC-DC контроллера MAX17557

Оценочная плата обеспечивает на выходе 5 В/ 10 А от напряжения источника питания на входе от 6.5 В до 60 В. Для оптимальной эффективности и размеров компонентов предустановленная частота коммутации составляет 350 кГц.

Оценочный модуль LMF3411EVM-031 на основе GaN транзисторов

Плата расширения на базе сконфигурированных в полумост двух 600 В силовых нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов LMG3411R150 с интегрированными драйверами затворов, всеми необходимыми цепями смещения, сдвига уровней, функциями защиты и вспомогательными периферийными цепями. Изделие предназначено для совместного использования с  материнской платой LMG34xx-BB-EVM (приобретается отдельно) или с платой собственной разработки. Такой комплект позволяет в кратчайшие сроки оценить возможности LMG34x1R150 и разработать на их основе источники питания высокой плотности мощности, драйверы моторов и пр.

Плата полумоста  на основе силовых GaN транзисторов TI

Плата расширения на базе сконфигурированных в полумост двух 600В/ 12 A силовых нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов LMG3411R070 с интегрированными драйверами затворов, всеми необходимыми цепями смещения, сдвига уровней, функциями защиты и вспомогательными периферийными цепями. Изделие предназначено для совместного использования с  материнской платой LMG34xx-BB-EVM (приобретается отдельно) или с платой собственной разработки. Такой комплект позволяет в кратчайшие сроки оценить возможности LMG34x1R070 и разработать на их основе AC/DC, DC/DC, DC/AC преобразователи напряжения, драйверы моторов и пр.

Материнская плата LMG34xx для оценки GaN транзисторов

Простая в использовании интерфейсная плата для настройки любой платы полумоста LMG34XX, например, такой, как LMG3410-HB-EVM (дочерняя плата), для работы в качестве синхронного понижающего преобразователя. Основное назначение интерфейсной платы – оценка возможностей нитрид-галлиевых транзисторов, установленных на дочерней плате (приобретается отдельно). В случае с LMG3410-HB-EVM – это два 600 В/12A силовых GaN транзистора LMG3410 с интегрированными драйверами, которые сконфигурированы в полумост со всеми необходимыми цепями смещения и сдвига уровней.

Какой преобразователь лучше: обратноходовой или прямоходовой?

В статье рассматриваются прямоходовые и обратноходовые преобразователи, обсуждаются характеристики прямоходовой топологий с активным ограничением и обратноходовой схемы, работающей в режиме непрерывных токов, а так же демонстрируются преимущества и недостатки каждой из них на примере двух источников питания.

Оценочная плата полумоста на базе транзисторов семейства CoolGaN™

Оценочная плата полумоста на основе 600 В нитрид-галлиевых GaN транзисторов и специальной микросхемы изолированного драйвера затвора GaN EiceDRIVER. Изделие  обеспечивает простую и быструю настройку и тестирование возможностей семейства транзисторов CoolGaN.

Полномостовой высокоэффективный 2500 Вт PFC от Infineon

Оценочная плата полномостового CCM тотемно-полюсного 2500 Вт корректора коэффициента мощности с эффективностью более 99%, разработанного на основе нитрид галлиевых CoolGaN 600 В e-mode HEMT и CoolMOS SJ MOSFET транзисторов, ICE3 PFC контроллера в сочетании с драйверами 1EDi HV MOSFET. Плата демонстрирует высокую эффективность каскада PFC, в котором используется Infineon CoolGaN технология. Решение предназначено для таких критически важных приложений как сервера или выпрямители источников питания телекоммуникационных систем и может служить в качестве референс-дизайна.

Отладочная плата для микросхемы USB Type C  контроллера STUSB1702

Изделие разработано на основе двух чипов контроллера автомобильного класса USB Type-C STUSB1702Y. Каждая микросхема обеспечивает обнаружение подключения/ отключения и определение ориентации разъема кабеля и объединяет в себе трансивер USB PD PHY и BMC, высоковольтную 20 В технологию мониторинга напряжения VBUS, 600 мА VCONN выключатель питания, цепи разряда VBUS и VCONN, защиту линии 22 В CC, драйверы затвора коммутатора VBUS и систему конфигурации роли данных.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 8
LLC

Статья является восьмой и заключительной в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В статье рассматриваются методы борьбы с синфазными помехами в изолированных DC/DC-преобразователях.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 7: синфазные помехи в обратноходовых преобразователях

Cтатья является седьмой в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней выполняется анализ синфазных шумов, генерируемых изолированными обратноходовыми DC/DC-преобразователями. Кроме того, в статье предлагается алгоритм по созданию простой шумовой модели преобразователя, включающей двухконденсаторную эквивалентную схему трансформатора.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 6: борьба с помехами в DC/DC-преобразователях с дискретными МОП-транзисторами

Статья является шестой в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней рассказывается о методах борьбы с помехами в преобразователях с дискретными МОП-транзисторами.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 4: радиочастотные помехи

Статья является четвертой в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней рассказывается о методиках измерения радиочастотных помех, а также приводятся результаты испытаний двух DC/DC-преобразователей.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 3: паразитные параметры силового контура

Данная статья является третьей в цикле публикаций, посвященных вопросам электромагнитной совместимости в промышленных и автомобильных DC/DC-преобразователях. В ней рассказывается о влиянии паразитных параметров на уровень электромагнитных помех, генерируемых DC/DC-преобразователем.

Интегральные системы питания для работы с харвестерами энергии

Интерес к источникам альтернативной энергии постоянно возрастает. В последнее время драйвером роста в этом сегменте стали автономные датчики и малопотребляющие IoT-устройства. Если раньше на рынке были востребованы преимущественно солнечные батареи и ветрогенераторы из-за их относительно высокой выходной мощности, то теперь пользователи все чаще проявляют интерес к маломощным источникам: термогенераторам, харвестерам энергии вибраций, харвестерам энергии ВЧ-излучений и т.д. Одной из проблем при использовании таких источников становится сложность построения системы питания. Впрочем, на рынке стали появляться законченные интегральные системы, объединяющие зарядное устройство, несколько преобразователей напряжения и систему коммутации. Примером такого решения являются микросхемы семейства AEM от компании e-peas.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 1: стандарты и измерения

Данная статья является первой в цикле публикаций, посвященных вопросам ЭМС в промышленном и автомобильном оборудовании. В ней дается краткое описание используемых методов измерений. Так же в статье рассматривается схема измерений кондуктивных помех, которая включает эквивалент сети и приемник электромагнитного излучения (ЭМИ).

Оценочный модуль LM5176EVM-HP

Плата демонстрирует реализацию дизайна DC/DC преобразователя высокой мощности со сверхвысокой (> 98%) пиковой эффективностью преобразования энергии на основе микросхемы LM5176 синхронного понижающе-повышающего конвертера, сконфигурированного для работы в диапазоне входных напряжений  6 В … 36 В с обеспечением стабилизированного выходного напряжения 12 В и тока нагрузки до 12 А.

Плата расширения Raspberry PI POE HAT

Хотите обеспечить питание Raspberry Pi 3 Model B+ через сеть Ethernet в соответствии со стандартом IEEE 802.3af-2003 PoE? Нет ничего проще. Плата расширения Raspberry PI POE HAT специально создана для этой задачи. Для работы этого продукта не требуется никаких изменений в основной плате Raspberry Pi. Изделие оборудовано бесщеточным вентилятором, который управляется RPi 3 Model B+ по I2C интерфейсу. Единственное, что потребуется пользователю - кабель Ethernet и оборудование питания для сети Power over Ethernet 802.3af.

Пятое поколение IGBT-модулей Infineon – новая эпоха в силовой электронике

IGBT-модули пятого поколения производства Infineon – результат одновременно технологического прорыва и тонкого компромисса между параметрами изделия. Значительное увеличение КПД, удельной мощности и срока службы этих транзисторных модулей позволяет применять их в инновационных областях электроэнергетики.

Внедрение SiC MOSFET приобретает массовый характер

Компания Infineon предлагает богатый выбор силовых карбид-кремниевых транзисторов семейства CoolSiC™ и специализированные драйверы, которые могут быть использованы в самых различных приложениях, таких, например, как инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания (ИБП), приводы электродвигателей, системы заряда аккумуляторов и системы хранения энергии.

Источники питания. Виды, характеристики, производители

Источники питания (ИП) являются неотъемлемой частью любого электронного устройства. В статье проводится обзор основных типов ИП: AC/DC-преобразователей, изолированных и неизолированных DC/DC-преобразователей, драйверов светодиодов, батарей и аккумуляторов, суперконденсаторов.

Сравнение позиций

  • ()