Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники
490
В избранное

infin.png (829 b)Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники.

Хотя возможности кремниевых полупроводниковых приборов еще до конца не исчерпаны, и производители электронных компонентов ежегодно сообщают о появлении новых линеек транзисторов и диодов с улучшенными характеристиками, давно очевидно, что для следующего витка развития силовой электроники необходима новая элементная база. Неполная управляемость, высокие потери при коммутации, наличие паразитных компонентов и прочие недостатки кремниевых полупроводниковых приборов серьезно ограничивают количество доступных схемотехнических решений и максимальную частоту переключений преобразователей, без чего КПД этих узлов станет недопустимо малым для практического использования.

На сегодняшний день наиболее перспективным вариантом замены элементов на традиционной кремниевой основе являются транзисторы с высокой подвижностью электронов (High-Electron-Mobility Transistor, HEMT), также известные под названием гетероструктурные полевые транзисторы (Heterostructure Field-Effect Transistor, HFET). Работы над освоением технологий производства HEMT активно ведутся многими производителями электронных компонентов, в том числе и компанией Infineon – одним из мировых лидеров в этой отрасли. В статье речь пойдет об особенностях транзисторов CoolGaN™ – одной из первых линеек HEMT, использование которой может вывести преобразователи электрической энергии на новый уровень качества.

Ключевые преимущества транзисторов CoolGaN™

Наиболее важным отличием HEMT от MOSFET является отсутствие паразитного диода между истоком и стоком, что позволяет этим приборам проводить ток и блокировать его протекание в обоих направлениях. В существующих схемах, особенно на основе полумостов, замена MOSFETна HEMTможет привести, например, к значительному уменьшению потерь, вызванных восстановлением паразитных диодов. А в перспективе эти приборы могут быть использованы в совершенно новых схемах преобразователей, реализация которых на существующей элементной базе сейчас крайне затруднительна.

Кроме этого, статические и динамические характеристики HEMT намного лучше, чем у флагманских моделей MOSFET аналогичного класса, что позволяет либо повысить КПД преобразователя за счет уменьшения всех видов потерь в силовых полупроводниковых элементах, либо за счет увеличения частоты переключений уменьшить массогабаритные показатели узлов и систем питания. 

Структура транзисторов CoolGaN™

В отличие от традиционных полевых транзисторов с изолированным затвором, в которых направление тока перпендикулярно плоскости кристалла, в транзисторах с высокой подвижностью электронов основные носители заряда перемещаются параллельно подложке в тонком гетеропереходном слое так называемого двумерного электронного газа (Two-Dimensional ElectronGas, 2DEG). Этот слой образуется в результате взаимного проникновения двух полупроводников с разной шириной запрещенных зон: нитрида галлия (GaN) и сплава нитридов алюминия и галлия (AlGaN). Подробнее об этом читайте в статье «Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon».

Технология изготовления транзисторов CoolGaN™ состоит из нескольких этапов. Вначале на кремниевой подложке эпитаксиальным методом выращивают слой GaN. Это позволяет, во-первых, использовать существующую инфраструктуру производства традиционных кремниевых пластин, а во-вторых – уменьшить скорость деградации кристалла из-за разницы температурных коэффициентов теплового расширения этих материалов. Следующий этап заключается в создании на поверхности выращенного кристалла дополнительных слоев: AlGaN и GaN, причем последний слой полупроводника легируется специальными добавками для получения ярко выраженной дырочной проводимости (p-GaN). По мере наращивания новых полупроводниковых слоев в формируемой многослойной структуре методом химического травления создаются участки, которые затем создадут ключевые зоны будущего транзистора: исток, сток и затвор. Завершают производственный процесс этапы металлизации и пассивации, после которых транзистор готов к установке в корпус.

Потенциал в области затвора должен быть достаточно высоким для блокировки перемещения носителей заряда в слое двумерного электронного газа без внешних источников электрического поля. В противном случае при нулевом напряжении между затвором и истоком сопротивление основного канала будет невысоким, и приборы фактически станут полевыми транзисторами со встроенными каналами, использование которых в преобразователях энергии крайне нежелательно. Поэтому все транзисторы CoolGaN™ имеют индуцированные каналы, что позволяет позиционировать их в качестве потенциальной замены традиционным MOSFET во всех известных решениях силовой электроники.

Особенности управления транзисторами CoolGaN™

Как и MOSFET, HEMTCoolGaN™ имеет три вывода: исток, сток и затвор. Однако в MOSFET затвор электрически изолирован от основного канала и фактически является нелинейным конденсатором, ток которого в статическом режиме равен нулю. В HEMT вывод затвора образует с основным каналом полупроводниковый диод, на который, чтобы перевести транзистор в проводящее состояние, необходимо подать прямое напряжение. Таким образом, транзисторы CoolGaN™, в отличие от MOSFET, управляются током, а не напряжением. Аналогичный метод управления имеют биполярные транзисторы. Однако в отличие от них, HEMT имеют как минимум на порядок больший коэффициент усиления по току. Так, например, максимальный ток стока транзисторов CoolGaN™ может достигать 80 А при токе затвора около 26 мА.Это означает, что коэффициент усиления по току HEMT приблизительно равен 3000, в то время как для мощных биполярных транзисторов он обычно не превышает 100.

Токовый метод управления означает также малое значение порогового напряжения VGS(th) между затвором и истоком, необходимого для начала протекания тока стока. Так, например, для того чтобы в цепи стока начал протекать ток величиной 2,6 мА, на вход транзистора CoolGaN™ необходимо подать напряжение около 1,3 B. Здесь также необходимо отметить, что порог открывания транзистора зависит от температуры. Испытания транзисторов CoolGaN™ показали, что напряжение VGS(th) имеет незначительный температурный дрейф величиной около – 750 мкВ/°C (рисунок 1).

Зависимость VGS(th) от температуры перехода Tj для 600-вольтовых CoolGaN™ с сопротивлением открытого канала 70 мОм

Рис. 1. Зависимость VGS(th) от температуры перехода Tj для 600-вольтовых CoolGaN™ с сопротивлением открытого канала 70 мОм

Поскольку входная цепь транзисторов CoolGaN™ фактически является диодом, то в их характеристиках отсутствует традиционный для MOSFET параметр максимального напряжения «затвор-исток». Вместо этого указывается максимального допустимый ток затвора, превышение которого приведет к тепловому пробою p-n-перехода и физическому разрушению транзистора (таблица 1). При подаче на затвор обратного напряжения 0…10 B ни ток стока, ни ток затвора не протекают. А вот его дальнейшее увеличение приведет к открытию встроенных защитных 12-вольтовых диодов, и, если не принимать никаких мер по ограничению тока затвора, высокое значение обратного напряжения приведет к разрушению транзистора.

Таблица 1. Входные характеристики 600-вольтовых CoolGaN™ с сопротивлением открытого канала 70мОм

Параметр Значение, мА Примечание
Максимальный ток затвора (продолжительный), IG 20 При температуре кристалла 0…150°С
Максимальный ток затвора (импульсный), IG pulse 2 При температуре кристалла 0…150°С,
tpulse = 50 нс, f = 100 кГц
Максимальное обратное напряжение «затвор-исток» (продолжительное), VGS 10 При температуре кристалла 0…150°С
Максимальное обратное напряжение «затвор-исток» (импульсное), VGS 25 При температуре кристалла 0…150°С,
tpulse = 50 нс, f = 100 кГц, открытый сток

Прямую (рисунок 2) и обратную (рисунок 3) ветви входных характеристик транзисторов CoolGaN™ можно определить так же, как и вольт-амперные характеристики обычных диодов. Но при этом следует учитывать, что прямые ветви очень сильно зависят от тока стока, который смещает их по горизонтальной оси, причем величина смещения зависит от величины и направления коммутируемого тока. А вот обратные ветви затворной цепи транзисторов CoolGaN™ практически полностью определяются защитными диодами и мало чем отличаются от аналогичных характеристик стабилитронов.

Прямые ветви ВАХ 600-вольтовых транзисторов CoolGaN™ с сопротивлением открытого канала 70 мОм при отключенном стоке

Рис. 2. Прямые ветви ВАХ 600-вольтовых транзисторов CoolGaN™ с сопротивлением открытого канала 70 мОм при отключенном стоке

Обратные ветви ВАХ 600-вольтовых транзисторов CoolGaN™ с сопротивлением открытого канала 70 мОм при отключенном стоке

Рис. 3. Обратные ветви ВАХ 600-вольтовых транзисторов CoolGaN™ с сопротивлением открытого канала 70 мОм при отключенном стоке

Динамические характеристики транзисторов CoolGaN™

Одним из самых важных параметров, влияющих практически на все динамические характеристики полевых транзисторов, является заряд затвора (Gate Charge) QG. Именно этот параметр определяет ключевые требования к драйверу, в частности – к величине его выходного тока. Максимальный ток драйвера, как правило, ограничен общим сопротивлением затворной цепи, поэтому чем больше заряд затвора, тем дольше будет переключаться транзистор. Сравнительный анализ зависимостей заряда затвора лучших кремниевых MOSFET с суперпереходом (SJ MOSFET), которые, кстати, практически полностью идентичны аналогичным зависимостям не менее инновационных полевых транзисторов на основе карбида кремния (SiC), и HEMT CoolGaN™ (рисунок 4) показывает, что при одинаковых сопротивлениях каналов последние имеют намного меньшее значение этого параметра. Это позволяет одновременно и упростить схемотехнику драйвера, и увеличить скорость управления транзисторами, что является несомненным преимуществом приборов CoolGaN™.

Характеристики зарядов затворов 600-вольтовых CoolGaN™ (а) и кремниевых SJ MOSFET (б) с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм

Рис. 4. Характеристики зарядов затворов 600-вольтовых CoolGaN™ (а) и кремниевых SJ MOSFET (б) с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм

Однако необходимо также обратить внимание, что HEMT CoolGaN™ требуют дополнительного расхода энергии на поддержание транзистора в проводящем состоянии, поскольку ток затвора в этом режиме имеет ненулевое значение. Эти потери учитываются введением специального дополнительного параметра – статического заряда (Steady-State Charge) QSS, который можно точно определить путем интегрирования мгновенных значений тока затвора или по упрощенной формуле QSS = ISStSS, где ISS – среднее значение тока затвора на протяжении интервала открытого состояния транзистора tSS.

Не менее важной характеристикой коммутационных возможностей полевого транзистора является величина заряда QOSS, накапливаемого в выходной емкости СOSS. Этот параметр особенно актуален для квазирезонансных схем с мягким переключением, в которых от величины QOSS напрямую зависит время рекуперации энергии, запасенной в индуктивных элементах. И здесь транзисторы CoolGaN™ фактически не имеют аналогов, ведь их выходной заряд приблизительно в 10 раз меньше, чем у самых лучших представителей MOSFET (рисунок 5). Для квазирезонансных преобразователей это означает сокращение времени резонансных колебаний при коммутации и, соответственно, увеличение рабочей частоты. 

Зависимости зарядов выходной емкости 600-вольтовых CoolGaN™ (а) и кремниевых SJ MOSFET (б) с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм

Рис. 5. Зависимости зарядов выходной емкости 600-вольтовых CoolGaN™ (а) и кремниевых SJ MOSFET (б) с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм

Однако, несмотря на столь малое значение QOSS, количество энергии EOSS, запасаемое в выходной емкости транзисторов CoolGaN™, соизмеримо с аналогичным параметром транзисторов SJ MOSFET. Это объясняется особенностью полевых транзисторов с изолированным затвором, у которых, как показано на рисунке 5, выходная емкость СOSS очень нелинейно зависит от величины напряжения между стоком и затвором VDS.

При малых значениях VDS выходная емкость MOSFET велика, и в нее необходимо переместить относительно большой заряд даже при незначительном изменении VDS. Но поскольку количество EOSS определяется интегралом от произведения QV, то из-за малых абсолютных значений VDS произведение QV будет небольшим. По мере увеличения напряжения на стоке выходная емкость MOSFET резко уменьшается, и при значениях VDS больше 40 B для изменения напряжения на емкости СOSS даже на значительную величину уже не требуется такого количества носителей заряда, как при малых VDS, поэтому произведение QV снова будет небольшим, но уже из-за низкого абсолютного значения Q.

Таким образом, несмотря на то, что транзисторы CoolGaN™ имеют почти на порядок меньшее значение QOSS,количество энергии EOSS, запасаемой в емкости СOSS, не сильно отличается от MOSFET. Например, в схеме преобразователя, работающего от источника питания с напряжением 380 В, значение EOSS всего лишь на 25% меньше, чем у SJ MOSFET аналогичного класса (рисунок 6).

Количество энергии EOSS, запасаемой в выходной емкости 600-вольтовых CoolGaN™ (а) и кремниевых SJ MOSFET (б) с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм

Рис. 6. Количество энергии EOSS, запасаемой в выходной емкости 600-вольтовых CoolGaN™ (а) и кремниевых SJ MOSFET (б) с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм

Особенности параллельной работы транзисторов CoolGaN™

Как и в MOSFET, с ростом температуры подвижность носителей заряда HEMT CoolGaN™ уменьшается, что эквивалентно росту активного сопротивления кристалла в проводящем состоянии RDS(ON). При этом величина температурного коэффициента изменения сопротивления канала RDS(ON) намного меньше, чем у MOSFET, и не превышает 2,0 (рисунок 7), в то время как для кремниевых транзисторов значение этого параметра, как правило, равно 2,4.Это означает, что системы на основе транзисторов CoolGaN™ проще и эффективнее в масштабировании, а их установочная мощность при параллельном соединении будет более эффективно использоваться. Однако в любом случае схема управления преобразователем должна иметь функцию контроля и ограничения выходного тока для предупреждения выхода рабочих точек транзисторов за пределы области безопасной работы.

Типовые выходные характеристики 600-вольтовых CoolGaN™ с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм при температуре 25°С (а) и 125°С (б)

Рис. 7. Типовые выходные характеристики 600-вольтовых CoolGaN™ с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм при температуре 25°С (а) и 125°С (б)

Область безопасной работы транзисторов CoolGaN™

Область безопасной работы (Safe Operating Area, SOA) показывает энергетические пределы транзистора, а именно – с какой максимальной скоростью может выделяться тепло на кристалле без ущерба для его физической целостности. Как и множество других силовых транзисторов, HEMT CoolGaN™ предназначены для работы в импульсных схемах, однако это не означает, что они не могут использоваться в линейном режиме (рисунок 8). Главное – чтобы тепло, выделяемое на кристалле, успевало отводиться, не доводя его температуру до опасных значений.

Область безопасной работы 600-вольтовых CoolGaN™ с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм при температуре 25°С (а) и 125°С (б)

Рис. 8. Область безопасной работы 600-вольтовых CoolGaN™ с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм при температуре 25°С (а) и 125°С (б)

Однако разработчику следует помнить, что любой заход рабочей точки на границу области безопасной работы приводит к необратимой деградации кристалла, даже если длительность этого режима меньше максимально допустимого значения, и транзистор физически остается целым. Поэтому если в процессе работы преобразователя, особенно в режиме жесткой коммутации индуктивной нагрузки, возможно периодическое возникновение состояния, когда напряжение «исток-сток» и ток стока одновременно имеют значительные величины, разработчику следует ориентироваться на область безопасной работы, рекомендуемую для часто повторяющих состояний (рисунок 9). Это даст гарантию длительной работы транзисторов и предотвратит их преждевременные отказы, вызванные ускоренным разрушением кристаллов.

Область безопасной работы 600-вольтовых CoolGaN™ с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм для повторяющихся состояний при температуре 25°С (а) и 125°С (б)

Рис. 9. Область безопасной работы 600-вольтовых CoolGaN™ с сопротивлениями открытых каналов 70 мОм для повторяющихся состояний при температуре 25°С (а) и 125°С (б)

Перспективы применения транзисторов CoolGaN™

Несмотря на то что в ассортименте компании Infineon на момент написания статьи присутствует всего несколько 600-вольтовых приборов из данного семейства, а пополнение этой линейки только планируется, уже сейчас преобразователи на их основе устанавливают новые стандарты качества как по уровню удельной мощности, так и по величине КПД. Даже простая замена традиционных MOSFET на HEMT позволяет значительно снизить потери и уменьшить габариты конечного решения, а использование транзисторов CoolGaN™ в схемах безмостового корректора коэффициента мощности (PoleFull-Bridge Power Factor Correction) с КПД более 99% заставило полностью пересмотреть подходы к построению входной части выпрямительных устройств.

Однако в первую очередь транзисторы CoolGaN™ найдут применение в областях, в которых их давно ждут. Речь идет о приложениях, в которых полный контроль над протеканием тока является обязательным условием функционирования. В эту категорию прежде всего попадают схемы, работающие с переменным током или напряжением: АС/АС-конверторы, выпрямители, инверторы, преобразователи частоты (в том числе и матричные преобразователи). На сегодняшний день для того чтобы на существующей элементной базе создать ключ, способный управлять переменным током, приходится комбинировать несколько полупроводниковых приборов (рисунок 10). Очевидно, что наличие в цепи протекания тока как минимум двух последовательно включенных силовых компонентов отрицательно сказывается на КПД этих преобразователей, и это является одним из главных сдерживающих факторов развития этой области силовой электроники.

Варианты реализации ключей переменного тока

Рис. 10. Варианты реализации ключей переменного тока

Простая замена существующих MOSFET или IGBTна HEMT CoolGaN™ позволит превратить любую схему DC/DC-конвертера в преобразователь, способный работать на переменном токе (рисунок 11). Такие узлы можно использовать, например, в качестве регуляторов мощности устройств, работающих от напряжения промышленной сети с частотой 50/60 Гц. Их ключевыми преимуществами, по сравнению с традиционными симисторными регуляторами, являются отсутствие искажений выходного напряжения и, соответственно, меньший уровень электромагнитных помех. Кроме этого они могут работать с нагрузкой любого типа, в том числе и чисто реактивной, у которой коэффициент мощности равен нулю. Анализируя историю развития силовой преобразовательной техники и учитывая малые размеры транзисторов CoolGaN™, можно с большой вероятностью предположить, что в будущем преобразователи, изображенные на рисунке 12, будут выпускаться в интегральном исполнении и потребуют для своей работы всего несколько внешних компонентов.

Примеры преобразователей напряжения промышленной сети на основе транзисторов CoolGaN™

Рис. 11. Примеры преобразователей напряжения промышленной сети на основе транзисторов CoolGaN™: а) понижающий; б) повышающий; в) инвертирующий (преобразующий фазу)

Однако при использовании транзисторов CoolGaN™ новые возможности появляются не только у преобразователей переменного напряжения. Полный контроль над протеканием тока позволит достаточно простым способом реализовать в классических DC/DC-конверторах режим рекуперации, при котором электрическая энергия через силовую часть будет передаваться в обратном направлении: с выхода на вход. Потребность в таких преобразователях существует уже сейчас, ведь с каждым годом все большее количество техники, особенно информационной, требует наличия резервного источника питания, предотвращающего потерю данных при аварии основного. В качестве примера можно привести один из вариантов системы питания информационного устройства с несколькими питающими шинами разного напряжения.

Пусть в системе существуют две шины питания с напряжениями +5 и +12 В (рисунок 12). Пусть в качестве основного используется внешний источник питания с напряжением 5 В, подключаемый к соответствующей шине, а в качестве резервного – 12-вольтовая аккумуляторная батарея. Для передачи энергии между питающими шинами установлен преобразователь на транзисторах CoolGaN™, способный передавать энергию в обоих направлениях. В нормальном режиме работы система питается от основного источника, а преобразователь передает энергию с шины +5 В на шину +12 В, одновременно заряжая аккумуляторную батарею. При аварии основного источника питания направление передачи энергии преобразователя автоматически меняется (причем схеме управления в общем случае даже не надо менять длительность импульсов открытых состояний транзисторов) и система продолжает стабильно работать от аккумуляторной батареи.

Пример использования транзисторов CoolGaN™ в преобразователе постоянного напряжения системы питания с несколькими питающими напряжениями

Рис. 12. Пример использования транзисторов CoolGaN™ в преобразователе постоянного напряжения системы питания с несколькими питающими напряжениями

Очевидно, что реализовать подобную схему на традиционных MOSFET весьма затруднительно, поскольку паразитные диоды между стоком и истоком просто не позволят обеспечить полноценный режим рекуперации. Подобные смены режимов работы активно используются в приложениях с переменными энергетическими потоками, например, в электротранспорте, при котором электродвигатель может выступать как в роли потребителя (при движении), так и в роли генератора (при торможении) электрической энергии.

Заключение

Появление HEMT CoolGaN™ – не просто очередная экзотика силовой преобразовательной техники, которую «теоретически можно использовать» в практических схемах. Эта технология в ближайшее время должна стать доминирующей в области производства силовых полупроводниковых приборов, а использование HEMT в импульсных преобразователях – такой же нормой, как сегодня использование MOSFET или IGBT.

Конечно, компании Infineon еще предстоит долгая и кропотливая работа по расширению ассортимента HEMT и усовершенствованию технологии их производства. Однако уже сейчас можно сказать, что начался новый виток в развитии силовой преобразовательной техники, ведь гетеропереходные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов впервые за долгие годы позволили снять те принципиальные ограничения, которые накладывала на схемотехнику импульсных преобразователей электрической энергии существующая элементная база.

Производитель: Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
1EDI20N12AFXUMA1
1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111791 ИНФО PDF RD RND
Доступно: 273 шт. от 1 шт. от 240,60
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies u…
1EDI20N12AFXUMA1 от 1 шт. от 240,60
273 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
1EDS5663HXUMA1
1EDS5663HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038751 ИНФО
Доступно: 224 шт. 203,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDS5663HXUMA1 203,00 от 20 шт. 174,00 от 44 шт. 156,00 от 100 шт. 145,00 от 200 шт. 137,00
100 шт.
(на складе)
124 шт.
(под заказ)
IGLD60R070D1AUMA1
IGLD60R070D1AUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038797 ИНФО PDF
Доступно: 28 шт. 2120,00
MOSFET, N-CH, 600V, 15A, 150DEG C, 114W
IGLD60R070D1AUMA1 2120,00 от 2 шт. 1820,00 от 5 шт. 1640,00 от 9 шт. 1520,00 от 20 шт. 1440,00
15 шт.
(на складе)
13 шт.
(под заказ)
IGO60R070D1AUMA1
IGO60R070D1AUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038798 ИНФО PDF RD DT
Доступно: 25 шт. 2190,00
MOSFET, N-CH, 600V, 31A, 150DEG C, 125W
IGO60R070D1AUMA1 2190,00 от 2 шт. 1880,00 от 4 шт. 1690,00 от 9 шт. 1570,00 от 23 шт. 1490,00
3 шт.
(на складе)
22 шт.
(под заказ)
IGOT60R070D1AUMA1
IGOT60R070D1AUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038799 PDF RD DT
Доступно: 26 шт. 2190,00
MOSFET, N-CH, 600V, 31A, 150DEG C, 125W
IGOT60R070D1AUMA1 2190,00 от 2 шт. 1880,00 от 4 шт. 1690,00 от 9 шт. 1570,00 от 23 шт. 1490,00
12 шт.
(на складе)
14 шт.
(под заказ)
IGT60R070D1ATMA1
IGT60R070D1ATMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038800 ИНФО PDF
Доступно: 27 шт. 2160,00
MOSFET, N-CH, 600V, 31A, 150DEG C, 125W
IGT60R070D1ATMA1 2160,00 от 2 шт. 1850,00 от 5 шт. 1660,00 от 9 шт. 1540,00 от 23 шт. 1460,00
15 шт.
(на складе)
12 шт.
(под заказ)
IGT60R190D1SATMA1
IGT60R190D1SATMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038801 ИНФО PDF
Доступно: 44 шт. 1160,00
MOSFET, N-CH, 600V, 12.5A, 55.5W
IGT60R190D1SATMA1 1160,00 от 4 шт. 996,00 от 8 шт. 896,00 от 17 шт. 830,00 от 43 шт. 788,00
12 шт.
(на складе)
32 шт.
(под заказ)
1EDF5673FXUMA1
1EDF5673FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154497 ИНФО
Доступно: 273 шт. 167,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673FXUMA1 167,00 от 24 шт. 144,00 от 52 шт. 129,00 от 100 шт. 120,00 от 300 шт. 114,00
93 шт.
(на складе)
180 шт.
(под заказ)
1EDF5673KXUMA1
1EDF5673KXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154498 RD
Доступно: 241 шт. 220,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673KXUMA1 220,00 от 20 шт. 189,00 от 40 шт. 170,00 от 80 шт. 157,00 от 220 шт. 150,00
95 шт.
(на складе)
146 шт.
(под заказ)

Сравнение позиций

  • ()