GaN
PFC

Новый метод проверки устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения

В статье впервые предлагается методика оценки устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения. Новая методика позволяет определить наиболее важные параметры силовых ключей с точки зрения защиты от выбросов напряжения, что является важным фактором при разработке надежных источников питания на базе GaN-транзисторов. В статье также впервые показано, что в реальных условиях GaN-транзисторы сохраняют работоспособность при воздействии скачков напряжения, возникающих в линиях питания. Кроме того, статья определят методику построения источников питания, устойчивых к выбросам напряжения, на базе GaN-транзисторов.
1859
В избранное

Устойчивость GaN-транзисторов к выбросам напряжения, распространяющимся по цепям питания, определяет надежность источников питания и является важным условием для внедрения этих силовых ключей. Однако методика испытаний, применяемая для определения устойчивости кремниевых транзисторов к выбросам напряжения, не подходит для GaN-ключей из-за их низкой устойчивости к лавинному пробою. В то же время, GaN-транзисторы менее чувствительны к перенапряжениям, по сравнению с кремниевыми ключами, что позволяет им работать в условиях высоковольтных помех без возникновения лавинного механизма пробоя. В настоящей статье впервые предлагается методика оценки устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения. Новая методика позволяет определить наиболее важные параметры силовых ключей с точки зрения защиты от выбросов напряжения, что является важным фактором при разработке надежных источников питания на базе GaN-транзисторов. В статье также впервые показано, что в реальных условиях GaN-транзисторы сохраняют работоспособность при воздействии скачков напряжения, возникающих в линиях питания. Кроме того, статья определят методику построения источников питания, устойчивых к выбросам напряжения, на базе GaN-транзисторов.

I. Введение

На линии электропередач могут воздействовать различные негативные факторы, связанные как с окружающей средой, так и с внутренними процессами, происходящими в оборудовании. В результате этих событий на линиях возникают переходные процессы и мощные помехи. Устойчивость оборудования к этим помехам определяет его надежность [1]. В традиционных источниках питания, например, в схемах корректоров коэффициента мощности (PFC), помеха ослабляется за счет различных компонентов схемы, таких как искровые разрядники, металлооксидные варисторы (MOV), фильтры и собственная емкость линий питания. Несмотря на ослабление, остаточной энергии помехи может быть достаточно для возникновения лавинного пробоя силового транзистора. Таким образом, устойчивость к лавинному пробою является важной характеристикой транзисторов.

Для традиционных кремниевых силовых МОП-транзисторов данный вопрос достаточно хорошо изучен. Кремниевые транзисторы характеризуются рейтингом допустимого напряжения, который определяется без значительного запаса прочности. По этой причине, при возникновении на линии питания значительного скачка напряжения в структуре транзистора начинается процесс ударной ионизации, или, говоря привычным языком, происходит лавинный пробой. За долгие годы были созданы надежные силовые ключи, устойчивость которых к лавинному пробою определяется параметрами схем защиты от перенапряжений.

GaN-транзисторы также подвержены возникновению лавинного пробоя [2], но в настоящее время они не обладают устойчивостью к этому процессу. К сожалению, структура современных GaN-ключей не обеспечивает рассеивание значительной лавинной энергии. В то же время, важно понимать, что GaN-транзисторы способны выдерживать скачки напряжения и без возникновения лавинного процесса. По этой причине при правильном выборе рейтинга напряжения GaN-транзисторы будут обеспечивать необходимую устойчивость к мощным помехам, даже не обладая устойчивостью к лавинному пробою. Проверка этого утверждения крайне важна для гарантии надежной работы силовых каскадов на базе GaN-транзисторов.

II. Общие положения

Скачки напряжения в сети могут быть вызваны ударами молний, коммутацией индуктивной или емкостной нагрузки, неисправностями оборудования и т. д. [1], [3]. Методика испытаний оборудования на устойчивость к выбросам напряжения определена в IEC 61000-4-5 [4]. В этом стандарте указаны параметры выходного сигнала импульсного генератора в режиме холостого хода и в режиме короткого замыкания. В качестве примера на рис. 1 представлена форма импульса 1,2/ 50 мкс на выходе комбинированного генератора выбросов (combination wave generator, CWG) в режиме холостого хода. Другим важным параметром испытаний является количество последовательных импульсов напряжения, подаваемых на вход схемы в процессе выполнения испытания. Стандарт VDE 0884-11 [5] требует подачи 50 импульсов: сначала 25 импульсов полярности один, а затем 25 выбросов полярности два.

Импульс напряжения холостого хода (1,2/50 мкс) на выходе генератора имитирует возникновение помехи согласно IEC 61000-4-5

Рис. 1. Импульс напряжения холостого хода (1,2/50 мкс) на выходе генератора имитирует возникновение помехи согласно IEC 61000-4-5. Время фронта составляет 1,2 мкс, а продолжительность (более 50% от пикового значения) 50 мкс.

Из технической документации ряда производителей прямо следует, что полевые GaN-транзисторы способны выдерживать кратковременные перенапряжения. Например, транзисторы с рейтингом напряжения 600 В устойчивы к выбросам напряжения сток-исток VDS(TR) до 750-800 В [6] - [8]. У разработчиков часто возникает вопрос: определяет ли параметр VDS(TR) рейтинг устойчивости к выбросам напряжения, и если нет, то, что этот параметр означает? Чтобы ответить на этот вопрос, необходимо знать специфику работы преобразователя.

Определение VDS(TR) проводится при выключенном транзисторе. Данное испытание необходимо для проверки устойчивости транзистора к колебаниям напряжения, возникающим при отключении. Такие высокочастотные звоны обычно возникают из-за наличия паразитной индуктивности [9]. В топологиях с мягкими переключениями основной транзистор находится в выключенном состоянии при высоком напряжении на стоке, таким образом, в подобных топологиях параметр VDS (TR) может использоваться в качестве рейтинга устойчивости к выбросам напряжения. Впрочем, данное утверждение еще предстоит доказать. При использовании жестких переключений ситуация складывается гораздо сложнее [10] - [12]. Так как длительность импульса перенапряжения достигает 100 мкс, то за это время система успеет выполнить несколько жестких коммутаций. Также вероятно, что коммутируемый ток будет увеличиваться во время скачка напряжения. Кроме того, транзистор должен исправно обеспечивать протекание тока в нагрузке. Это дополнительное увеличение напряжения на ключе необходимо учитывать. Многие схемы на GaN-транзисторах, например, ККМ, инверторы, приводы электродвигателей и понижающие/ повышающие преобразователи работают с жесткими переключениями, таким образом, исследование устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения при жестких коммутациях является весьма актуальным вопросом.

III. Особенности схемы испытаний

Традиционная методика испытаний устойчивости источников питания с кремниевыми силовыми компонентами к выбросам напряжения подразумевает подачу импульсных сигналов, амплитуда которых зависит от требуемого рейтинга напряжения и лежит в диапазоне от 0,5 кВ до 4 кВ [4], [13]. Блок питания обычно имеет в своем составе элементы защиты от перенапряжений, например, искровые разрядники и варисторы, которые ослабляют и рассеивают энергию помехи. Кроме того, другие компоненты схемы, в частности фильтры и емкости источника питания, дополнительно уменьшают амплитуду выброса напряжения. Таким образом, амплитуда помехи, достигающей полевого транзистора, зависит от конструкции источника питания. Скачок напряжения опасен не только для транзисторов, но и для других компонентов схемы, например, для диодов и конденсаторов. На рис. 2 поясняются все перечисленные особенности на примере схемы ККМ.

Затухание помехи в ККМ.

Рис. 2. Затухание помехи в ККМ. Остаточная энергия помехи, прикладываемой к транзистору, зависит от особенностей схемы

Рис. 2 демонстрирует важную особенность. С одной стороны, стандарт IEC 61000-4-5 определяет параметры импульса на выходе генератора только в режиме холостого хода и короткого замыкания. С другой стороны, амплитуда напряжения помехи, прикладываемой к транзистору, будет зависеть от особенностей конкретной схемы, при том, что каждый производитель использует собственный подход к проектированию источников питания и организации защиты от выбросов напряжения. В результате напряжение помехи на транзисторе невозможно стандартизировать. Однако это крайне важно сделать для определения рейтинга устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения. Зная этот рейтинг, разработчик сможет выбрать необходимые элементы защиты, такие как варисторы, фильтры, байпасные диоды и входную емкость шины, и тем самым обеспечить надежную работу GaN-транзисторов даже при возникновении мощных выбросов напряжения. Этот параметр также позволит выполнять моделирование цепей и поможет разработчикам создавать надежные решения для защиты от скачков напряжения.

Таким образом, в документации на транзистор должен присутствовать параметр VDS(SURGE) – напряжение сток-исток, которое выдерживает GaN-транзистор с учетом выброса напряжения, но без учета звона в момент выключения. Согласно современным требованиям и пожеланиям пользователей приемлемое значение данного параметра составляет около 720 В. Как показано на рис. 3, VDS(SURGE) определяет максимальное напряжение, которое может присутствовать на шине питания при возникновении перенапряжения. Значение VDS(TR) в свою очередь определяет запас по напряжению для колебаний, возникающих при отключении нагрузки. Например, VDS(TR) для LMG3410 составляет 800 В [6], что обеспечивает запас по напряжению 80 В по сравнению с номинальным значением VDS(SURGE).

Параметры, необходимые для определения рейтинга устойчивости транзистора к выбросам напряжения

Рис. 3. Параметры, необходимые для определения рейтинга устойчивости транзистора к выбросам напряжения

На рис. 3 показаны параметры, необходимые для определения рейтинга устойчивости транзистора к выбросам напряжения: VDS(SURGE) – максимальное постоянное напряжение шины, прикладываемое к транзистору при наличии помехи, VDS (TR) – допустимое кратковременное напряжение, определяющее устойчивость транзистора к высокочастотным колебаниям (звону)

IV. Схема испытаний и организация смещения

Выбор подходящей схемы испытаний является важной задачей. Схема должна быть простой и обеспечивать безопасную подачу импульсного напряжения на тестируемый транзистор, одновременно сводя к минимуму риск отказа других компонентов. Наша испытательная схема строилась на базе синхронного понижающего преобразователя. С одной стороны, такое решение позволяет подавать импульсный сигнал с указанным пиковым напряжением непосредственно на тестируемое устройство, как это происходит в реальном источнике питания, а с другой стороны, из тестовой установки могут быть исключены «лишние» компоненты, например, обратные диоды, MOV-варисторы и т. д. Кроме того, полумостовую схему можно построить на базе двух GaN-транзисторов, в результате чего при выполнении испытаний будет одновременно проверяться устойчивость транзисторов к выбросам напряжения обеих полярностей: транзистора верхнего плеча при жестких коммутациях и транзистора нижнего плеча в режиме обратной проводимости. Транзистор нижнего плеча может работать при мягких переключениях. Схема испытаний показана на рис. 4. В качестве полумоста используется отладочная плата от TI, представленная на рис. 5.

Схема проверки устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения

Рис. 4. Схема проверки устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения

Схема работает с постоянным напряжением 400 В, на которое накладываются импульсные сигналы, имитирующие выбросы напряжения, появляющиеся при реальной работе устройства.

Для тестирования транзисторов используется плата полумоста TI-GaN EVM

Рис. 5. Для тестирования транзисторов используется плата полумоста TI-GaN EVM

Данная плата подключается к испытательной материнской плате. Применение полумоста позволяет проверить устойчивость транзисторов к импульсным помехам обеих полярностей: включение при жестких коммутациях и обратную проводимость.

Чтобы сформировать максимально близкую к реальности картину перенапряжения, использовалось номинальное входное напряжение 400 В, частота коммутаций 100 кГц и коэффициент заполнения 50%. Для получения адекватного перекрытия тока и напряжения при коммутациях скорость нарастания была установлена на уровне 50 В/нс. Управление скоростью нарастания осуществлялось с помощью резистора RDRV [6]. Температура силовых ключей контролировалась с помощью термопар, прикрепленных к верхней части корпуса (в нашем случае QFN-корпуса). Температура верхнего транзистора поддерживалась на уровне 105 °C. Преобразователь работал с активной нагрузкой мощностью 1 кВт, в качестве которой выступал регулируемый эквивалент нагрузки.

Осциллограмма, изображенная на рис. 6, демонстрирует поведение схемы при подаче входного выброса напряжения. Данный выброс обеспечивает временное увеличение напряжения шины до 720 В. На осциллограмме изображены формы основных токов и напряжений, указанных на рис. 4: Vin, Vsw, Vout, IL. Как не сложно заметить, входной выброс напряжения, наложенный на напряжение шины 400 В, прикладывается непосредственно к GaN-транзисторам. На рис. 6 хорошо видно, что напряжение коммутируемого узла следует за входным напряжением, и пиковое перенапряжение на GaN-транзисторах составляет 720 В.

 Формы токов и напряжений при подаче выброса напряжения

Рис. 6. Формы токов и напряжений при подаче выброса напряжения (наименования соответствуют обозначениям, представленным на рис. 4).

Как не сложно заметить, входной выброс напряжения, наложенный на напряжение шины 400 В, приводит к временному увеличению напряжения шины до 720 В. Это суммарное напряжение прикладывается непосредственно к GaN-транзисторам.

Так как в схеме поддерживается постоянный коэффициент заполнения 50%, то скачок напряжения вызывает рост тока через индуктивность. Значение индуктивности было выбрано таким образом, чтобы ток увеличивался примерно с 5 А до 20 А. Это также позволяет подтвердить устойчивость транзисторов к скачкам тока до 400% при возникновении выбросов напряжений.

Так как генератор выбросов работает не на холостом ходу, то форма сигнала, прикладываемого к испытуемому транзистору, отличается от формы CWG 1.2/ 50, изображенной на рис. 1. Тем не менее, форма тестового импульса отвечает требованиям стандарта при работе генератора на холостом ходу и при наличии КЗ на выходе [4], [13]. Используемый нами генератор был откалиброван, кроме того, мы самостоятельно проверили форму выходных сигналов на холостом ходу, как показано на рис. 7. На рис. 7 представлена осциллограмма импульсного разряда 320 В, наложенного на постоянное напряжение 400 В с помощью устройства связи/ развязки (УСР). Результирующий импульс напряжения имеет амплитуду 720 В, а его длительность фронта и общая длительность соответствуют требованиям стандарта.

Выброс напряжения с амплитудой 720 В и постоянной составляющей 400 В

Рис. 7. Выброс напряжения с амплитудой 720 В и постоянной составляющей 400 В

Время фронта составляет 1,42 мкс, а продолжительность – 50 мкс, что соответствует требованиям IEC 61000-4-5 (см. рис. 1).

V. Результаты испытаний транзисторов на устойчивость к выбросам напряжения

При проведении испытаний на вход устройства подавались 50 импульсов CWG 1,2/ 50 IEC 61000-4-5. При возникновении перенапряжения транзистор может выйти из строя по двум причинам. Во-первых, из-за увеличения динамического сопротивления RDS(ON), вызванного ростом улавливаемых электронов, при выполнении жестких переключений при высоких напряжениях и больших коммутируемых токах. Во-вторых, из-за выхода транзистора из области безопасной работы (SOA).

Результаты испытаний, выполненных на двух партиях серийных устройств (20 транзисторов - 10 полумостов), представлены на рис. 8. Как уже говорилось выше, испытания проводились с использованием плат полумостов (рис. 5), работающих в составе испытательного стенда, схема которого изображена на рис. 4. Схема подключалась к генератору через УСР, поэтому амплитуда выброса составляла 720 В при штатном постоянном напряжении шины 400 В. С учетом нагрузки выходное напряжение генератора составляло 435 В. Измерение КПД выполнялось три раза: до выполнения испытания на устойчивость к выбросам напряжения, после подачи одного выброса напряжения, и по окончании полного цикла испытаний (после подачи 50 выбросов напряжений). КПД рассчитывался путем деления выходной мощности преобразователя на входную, и нормировался относительно исходного значения КПД, полученного до выполнения теста на устойчивость к перенапряжениям. Тестовые импульсы подавались с частотой 2 раза в минуту. Перед выполнением измерения КПД система проходила 30-минутный период стабилизации.

Выполнение испытаний на устойчивость к выбросам напряжения

Рис. 8. Выполнение испытаний на устойчивость к выбросам напряжения

При выполнении испытаний на устойчивость к выбросам напряжения (50 импульсов) отказов транзисторов не обнаружено. Кроме того, при дальнейшей работе с нагрузкой 1 кВт деградация транзисторов, проявляемая в виде существенного уменьшения КПД, также не обнаружена.

Из графика, изображённого на рис. 8, видно, что после подачи 50 тестовых импульсов эффективность преобразователя практически не изменилась, а значит динамическое сопротивление RDS (ON) не возросло. Кроме того, ни один из транзисторов не вышел из строя. Эти результаты очень важны, так как они доказывают тот факт, что GaN-транзисторы способны обеспечивать надежную работу и выдерживать значительные выбросы напряжения без образования лавинного пробоя.

VI. Разработка GaN-устройств, устойчивых к выбросам напряжения

Появление в документации такого параметра, как VDS(SURGE), упростит разработку надежного блока питания с GaN-транзисторами. Дело в том, что схема генератора выбросов указана в стандартах [1], [4], [13], [14] и может быть реализована в симуляторе. Это позволяет выбирать защитные компоненты таким образом, чтобы во время появления выбросов напряжений на входе схемы общее напряжение на шине питания оставалось ниже 720 В. В качестве примера приведем результаты моделирования для понижающего преобразователя (рис. 9).

Схема понижающего преобразователя, используемого для моделирования

Рис. 9. Схема понижающего преобразователя, используемого для моделирования

Перед выполнением моделирования модель генератора была настроена на получение выходного напряжения 4 кВ на холостом ходу. Это максимальная амплитуда испытательного напряжения, определенного в стандарте IEC [13] для наиболее жестких классов 4 и 5 [4]. Смоделированная форма выходного сигнала генератора, работающего на холостом ходу, представлена на верхней части рис. 10. Формы сигналов на холостом ходу и при коротком замыкании соответствуют формам 1,2/ 50 мкс и 8/20 мкс, определенным в IEC61000-4-5. Генератор был использован для подачи импульса напряжения на вход схемы, представленной на рис. 9.

Формы сигналов на рис. 10 демонстрируют надежную работу блока питания с GaN-транзисторами при подаче импульсных сигналов 4 кВ. Выбор компонентов схемы достаточно ясен – разработчик должен обеспечить надежность всей системы и использовать компоненты, которые способны выдерживать скачки напряжения. С точки зрения подавления входной помехи основными компонентами являются: паразитная входная индуктивность Lpar (0,5 мкГн), варистор 420 В, фильтр и емкость входной шины Cin (47 мкФ). Как видно из рис. 10, при подключении преобразователя напряжения ко входу генератора импульс холостого хода 4 кВ трансформируется в импульс с пиковым напряжением 800 В (VPulse). Снижение напряжения происходит из-за входного импеданса тестируемого источника питания. Варистор ограничивает входное напряжение (VIN) на уровне 604 В. Индуктивность, а также емкость фильтра и шины питания дополнительно уменьшают напряжение (VFilter), прикладываемое к силовому полумосту из GaN-транзисторов.

Пиковое импульсное напряжение VFilter, достигающее транзисторного полумоста, составляет менее 570 В, что значительно ниже допустимого перенапряжения 720 В. Таким образом, оказывается, что для надежной работы преобразователя даже в условиях самых жестких выбросов напряжений достаточно просто обеспечить ограничение входного напряжения на уровне, безопасном для силовых транзисторов.

Моделирование скачка напряжения 4 кВ, приложенного к источнику питания

Рис. 10. Моделирование скачка напряжения 4 кВ, приложенного к источнику питания

Пиковое рабочее напряжение транзистора составляет менее 570 В, что значительно ниже чем рейтинг устойчивости того же транзистора к выбросам напряжения. Данная осциллограмма демонстрирует устойчивость блока питания на базе GaN-транзисторов к выбросам напряжения

VII. Заключение

В настоящей статье впервые была представлена полноценная методика по определению устойчивости импульсных источников питания на базе GaN-транзисторов к выбросам напряжения. В статье были выполнены следующие важные шаги: определены условия испытаний, определен параметр VDS(SURGE), предложена схема испытаний для проверки устойчивости к выбросам напряжения, впервые на практике была подтверждена устойчивость GaN-транзисторов к выбросам напряжения, продолжена методика моделирования устойчивости источника питания на базе GaN-транзисторов к выбросам напряжения с учетом всех вышеперечисленных особенностей.

Параметр VDS(SURGE) определяет максимальное напряжение сток-исток, которое выдерживает GaN-транзистор с учетом выброса напряжения, но без учета звона в момент выключения. Используемые нами GaN-транзисторы подтвердили свою устойчивость к выбросам напряжения до 720 В. Более того,  транзисторы выдержали подачу 50 тестовых импульсов без серьезных сбоев или последующего снижения эффективности. Наши испытания показали, что полевые GaN-транзисторы способны надежно работать при наличии выбросов напряжений.

Параметр VDS(SURGE) упрощает процесс проектирования источников питания на базе GaN-транзисторов. При правильном выборе защитных компонентов пиковое напряжение на шине может быть легко ограничено на уровне, не превышающем 720 В. В дополнение к VDS(SURGE) важным параметром становится VDS(TR), который определяет запас по напряжению для колебаний, возникающих при отключении нагрузки.

Таким образом, в статье было показано, что силовые GaN-транзисторы не обязательно должны быть устойчивы к лавинному пробою, чтобы надежно работать в условиях выбросов напряжения.

Список источников

[1] D. Powell, B. Hesterman, “Introduction to Voltage Surge Immunity Testing”, presented at the IEEE Power Electronics Society Denver Chapter Meeting, Sept. 2007

[2] O. Aktas, I. C. Kizilyalli, “Avalanche Capability of Vertical GaN p-n Junctions on Bulk GaN Substrates, IEEE Elec. Dev. Lett, v. 36, no. 9, p. 890, 2015

[3] F. Martzoff and G. Hahn, “Surge Voltages in Residential and Industrial Power Circuits”, IEEE Trans. on Power Apparatus and Systems, v. 89, p. 1049, 1970

[4] IEC 61000-4-5 International Standard, Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-5: Testing and measurement techniques – Surge immunity test, Edition 3.0, 2014

[5] VDE 0884-11, “Semiconductor devices – magnetic and capacitive coupler for basic and reinforced isolation”, Ed. 1.0

[6] LMG341xR070 datasheet, available at www.ti.com

[7] GS66506T datasheet, available at www.gansystems.com

[8] TPH3212PS datasheet, available at www.transphormusa.com

[9] Application Note 0008, “Drain Voltage and Avalanche Ratings for GaN FETs”, available at www.transphormusa.com

[10] S. R. Bahl, D. Ruiz, and D. S. Lee, “Product-level Reliability of GaN Devices ”, IEEE Int. Rel. Phys. Sym., p.4A-3-1, 2016

[11] I. Rossetto et. al., “Evidence of Hot-Electron Effects During Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs”, IEEE Trans. Electron Devices”, p. 3734, 2017

[12] S. R. Bahl et. al., “Application Reliability Validation of GaN Power Devices”, IEEE Int. Elec. Dev. Meeting, p. 544, 2016

[13] Application Report SLVA711, “IEC 61000-4-x Tests for TI’s Protection Devices”, 2015, available at www.ti.com

[14] D. Miller, R. Kennel, M. Reddig, M. Schlenk, “Surge Immunity Test Analysis for Modern Switching Mode Power Supplies”, IEEE Intl. Tele. Energy Conf. (INTELEC), 2016

Производитель: Transphorm
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
TPH3212PS
TPH3212PS
Transphorm
Арт.: 2263118 ИНФО PDF DT
Доступно: 236 шт. от 1 шт. от 1570,41
Выбрать
условия
поставки
Key Specifications VDS (V) min650 VTDS (V) max800 RDS(on) (m?) max*85 Qrr (nC) typ90 Qg (nC) typ14 Key Features Easy to drive-compatible with standard…
TPH3212PS от 1 шт. от 1570,41
236 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
Производитель: Texas Instruments
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
LMG3410R070RWHR
LMG3410R070RWHR
Texas Instruments
Арт.: 3041736 ИНФО PDF AN RD DT
Доступно: 373 шт. от 2000 шт. от 1008,83
Выбрать
условия
поставки
Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters MOSFET (Metal Oxide) 32-VQFN (8x8)
LMG3410R070RWHR от 2000 шт. от 1008,83
373 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
LMG3410R070RWHT
LMG3410R070RWHT
Texas Instruments
Арт.: 3041737 ИНФО PDF AN RD DT
Доступно: 242 шт. от 1 шт. от 1556,82
Выбрать
условия
поставки
Драйверы для управления затвором SMART 70MOHM GAN FET WITH DRIVER
LMG3410R070RWHT от 1 шт. от 1556,82
242 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
LMG3411EVM-029
LMG3411EVM-029
Texas Instruments
Арт.: 3094302 ИНФО RD
Доступно: 12 шт. от 1 шт. от 28942,80
Выбрать
условия
поставки
Плата полумоста на основе силовых GaN транзисторов TI.
LMG3411EVM-029 от 1 шт. от 28942,80
12 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
LMG3410EVM-018
LMG3410EVM-018
Texas Instruments
Арт.: 3416579 ИНФО RD
Поиск
предложений
LMG3410R050 daughter card
LMG3410EVM-018
-
Поиск
предложений
LMG3410EVM-031
LMG3410EVM-031
Texas Instruments
Арт.: 3416580 ИНФО RD
Поиск
предложений
LMG3410R150 daughter card
LMG3410EVM-031
-
Поиск
предложений
LMG3411EVM-018
Texas Instruments
Арт.: 3416581 ИНФО
Доступно: 19 шт. от 1 шт. от 19812,40
Выбрать
условия
поставки
LMG3411R050 daughter card
LMG3411EVM-018 от 1 шт. от 19812,40
19 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
LMG3411EVM-031
LMG3411EVM-031
Texas Instruments
Арт.: 3416582 ИНФО
Доступно: 19 шт. от 1 шт. от 19812,40
Выбрать
условия
поставки
Оценочный модуль LMF3411EVM-031 на основе GaN транзисторов.
LMG3411EVM-031 от 1 шт. от 19812,40
19 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки

Сравнение позиций

  • ()