GaN

Тепловые характеристики для проектирования силового каскада на основе нитрид-галлиевых транзисторов

Расчет тепловых характеристик является весьма важным при решении задач с применением любых силовых электронных преобразователей. Оптимизированный тепловой расчет позволяет инженерам использовать компоненты на основе нитрида галлия (GaN) в широком диапазоне уровней мощности, топологий и областей применения. Давайте рассмотрим наиболее важные расчеты и компромиссы для семейства LMG341XRxxx GaN производства Texas Instruments, а также рекомендации по компоновке печатной платы, тепловому интерфейсу, выбору радиатора и методам монтажа. Также будут приведены примеры конструкций с использованием изделий на основе GaN на 50 и 70 мОм
3144
В избранное

Расчет тепловых характеристик является весьма важным при решении задач с применением любых силовых электронных преобразователей. Оптимизированный тепловой расчет позволяет инженерам использовать компоненты на основе нитрида галлия (GaN) в широком диапазоне уровней мощности, топологий и областей применения. Давайте рассмотрим наиболее важные расчеты и компромиссы для семейства LMG341XRxxx GaN производства Texas Instruments, а также рекомендации по компоновке печатной платы, тепловому интерфейсу, выбору радиатора и методам монтажа. Также будут приведены примеры конструкций с использованием изделий на основе GaN на 50 и 70 мОм.

На основе полевых GaN-транзисторов появилась возможность создавать высокочастотные силовые преобразователи, которые имеют гораздо более высокую удельную мощность, меньшие размеры и малый вес благодаря превосходным характеристикам переключения и отсутствию потерь на обратное восстановление. Чтобы в полной мере использовать скоростные переключения GaN-изделий, индуктивность силового контура должна быть минимизирована. Это требует тщательной компоновки печатных плат, а также очень низкой индуктивности для полевых GaN-транзисторов. В семействе LMG341XRxxx производства компании Texas Instruments используется охлаждаемый с нижней стороны корпус QFN 8×8 мм с низкой индуктивностью для скоростей переключения более 100 В/нс. Точный тепловой расчет важен для силовых электронных преобразователей. Идеальная теплоотдача должна обеспечивать хорошую теплопроводность с минимальным тепловым сопротивлением на пути теплового потока. На рис. 1 показан типичный эквивалентный тепловой контур, который включает в себя тепловое сопротивление места контакта корпуса полевого GaN-транзистора, печатной платы, теплопроводящего материала (TIM) и радиатора. Температура места контакта полевого GaN-транзистора является функцией потерь мощности и общего теплового сопротивления от места контакта к воздуху. Температура места контакта может быть определена по формуле 1:

Tj = PLoss * Rθj-a + Tamb,   (1)

где:

  • Tj – температура места контакта
  • PLoss – общая рассеиваемая мощность
  • Rθj-a – общее тепловое сопротивление
  • Tamb – температура окружающей среды

Инженер может использовать формулу 2 для аппроксимации Rθj-a:

Rθj-a= Rθj-c(bottom) + RθPCB + RθTIM + Rθhs,   (2)

где:

  • Rθj-c(bottom) – тепловое сопротивление между местом контакта и подложкой корпуса
  • RθPCB – тепловое сопротивление печатной платы
  • RθTIM – тепловое сопротивление теплопроводящих материалов (TIM)
  • Rθhs – тепловое сопротивление радиатора

Корпус QFN на печатной плате (зеленого цвета), теплопроводящий материал (синего цвета) и радиатор (серого цвета)

Рис. 1. Корпус QFN на печатной плате (зеленого цвета), теплопроводящий материал (синего цвета) и радиатор (серого цвета)

Сопротивление верхнего пути, обозначенное на рис. 1 пунктирными стрелками, является минимальным по сравнению с сопротивлением нижнего пути в приложениях с принудительным охлаждением. В типичной конфигурации с нижним охлаждением, где используются тепловые переходные отверстия, ребристый радиатор и достаточный поток воздуха, менее 10% рассеиваемого тепла проходит через верхний путь.

Тепловые характеристики 

Тепловое сопротивление корпуса

Силовые каскады LMG341XRxxx GaN от TI находятся в корпусах QFN, обладающих малой индуктивностью, чтобы избежать высокой индуктивности длинных выводов и соединительных проводов для быстрых переключений. Термопрокладка, расположенная на нижней части изделия, припаивается к плате и используется для эффективного распределения тепла от места контакта к печатной плате. Типичное тепловое сопротивление от места контакта к корпусу составляет 0,5°C/Вт.

Стек печатной платы

Тепло от места контакта передается от термопрокладки верхнему слою печатной платы, а затем нижнему слою печатной платы через ряд тепловых переходных отверстий. Тепловое сопротивление печатной платы зависит от толщины платы, толщины слоев меди (Cu), положения и количества тепловых переходных отверстий.

Толщина слоев меди

Верхний слой меди действует как теплоотвод. При увеличении площади медного слоя эффективное тепловое сопротивление в вертикальном направлении уменьшается. Распространение тепла достигает насыщения за пределами определенной точки, которая определяется толщиной слоя меди. Следовательно, выгодно иметь большой и толстый верхний слой меди, который больше, чем площадь термопрокладки. Пример теплоотвода на верхнем медном слое (выделен красным цветом) от платы LMG3410R050-HB-EVM показан на рис. 2.

Внутренние слои меди распространяют тепловой поток и увеличивают площадь теплопроводности. Нижний слой меди контактирует с теплопроводящим материалом (TIM). Важно, чтобы область меди нижнего слоя покрывала область тепловой плоскости, размещенной на верхнем медном слое, и имела достаточную толщину для рассеивания тепла. По этим причинам компания TI рекомендует инженеру использовать не менее 56,7 г меди в каждом слое. Также важно снять паяльную маску с этой плоскости теплоотвода, чтобы уменьшить тепловое сопротивление.

Термопрокладка силового каскада LMG341X GaN и верхний медный слой теплоотвода LMG3410R050-HB-EVM
Рис. 2. Термопрокладка силового каскада LMG341X GaN и верхний медный слой теплоотвода LMG3410R050-HB-EVM

Толщина платы

Толщина печатной платы определяется количеством и толщиной слоев, электрической трассировкой и требованиями к механической прочности. Она оказывает непосредственное влияние на общее тепловое сопротивление от корпуса GaN до поверхности TIM. По мере увеличения толщины платы тепловое сопротивление увеличивается пропорционально.

Чтобы минимизировать индуктивность силового контура, рекомендуется четырехслойная плата для возможности возврата силового контура из соседнего слоя. Пример стека слоев платы показан на рис. 3. Как правило, толщина диэлектрика 2 изменяют, чтобы получить более толстые или более тонкие платы. Минимальная толщина определяется требованием к изоляции сигналов соседних слоев с учетом непрерывности критических сигналов и добавленной паразитной емкости к узлу коммутации. Минимальная толщина платы 812,8 мкм с медью 56,7 г рекомендуется для низких уровней мощности менее 1 кВт, где толщина диэлектрика 2 составляет 269,24 мкм.

Пример стека слоев 4-слойной платы 

Рис. 3. Пример стека слоев 4-слойной платы 

Для более высоких уровней мощности > 1 кВт компания TI рекомендует минимальную толщину 1193,8 мкм, чтобы предотвратить деформацию платы и иметь возможность для различных методов монтажа радиатора. В этом случае толщина диэлектрика 2 увеличивается до 655,32 мкм.

Количество тепловых переходных отверстий

Материал FR-4 – плохой проводник тепла. Его проводимость может быть улучшена с помощью металлизированных тепловых переходных отверстий. Тепловые переходные отверстия, как правило - 203,2…304,8 мкм в диаметре, должны быть размещены прямо под термопрокладкой корпуса GaN. Тепловые переходные отверстия, размещенные на LMG3410R050-HB-EVM, показаны на рис. 2. Для каждого изделия GaN с размером отверстия 203,2 мкм нужно 71 переходное отверстие. Все слои, включая внутренние, имеют тепловые плоскости для лучшего распределения и передачи тепла.

Для улучшения индуктивности силового контура не вся плоскость под термопрокладкой изделия должна быть заполнена тепловыми переходными отверстиями. Причина заключается в том, что силовой контур возвращается на средний слой топологии 1 и под изделия для минимизации индуктивности силового контура, как описано в указании по применению «High Voltage Half Bridge Design Guide for LMG3410x Family of Integrated GaN FETs» («Руководство по проектированию высоковольтного полумоста для LMG3410 Smart с полевыми GaN-транзисторами» (SNOA946).

Тепловое сопротивление печатной платы

Общее тепловое сопротивление печатной платы может быть приближено к эквивалентному тепловому сопротивлению тепловых переходных отверстий, которые проводят тепло параллельно. Формула 3 применяется для расчета теплового сопротивления каждого переходного отверстия:

Rvia = Удельное сопротивление x L / A,   (3)

где L и A обозначают длину и площадь теплового переходного отверстия, соответственно.

Тепловое сопротивление покрытого медью отверстия составляет 0,249 см-К/Вт (при 300 К). Длина переходного отверстия приблизительно равна толщине платы. Площадь проводящей медной стенки переходного отверстия высчитывается по формуле 4:

A = (dia + pthk) × pthk x π,   (4)

где dia и pthk, соответственно, диаметр и толщина покрытой стенки.

Типичное переходное отверстие имеет покрытие медью 25 мкм. Тепловое сопротивление одиночного теплового переходного отверстия в плате LMG3410R050 HB-EVM вычисляется по формулам 3 и 4 как 166°C/Вт, что дает общее тепловое сопротивление печатной платы равным 2,33°C/Вт. Аналогично, на плате LMG3410R070 HB-EVM используются 39 переходных отверстий диаметром 304,8 мкм при толщине платы 812,82 мкм, что дает общее тепловое сопротивление платы 2°C/Вт. Этот расчет основан на заполнении переходных отверстий электропроводной эпоксидной смолой. Для улучшения тепловых характеристик можно рассмотреть дорогостоящую альтернативу наполнения переходных отверстий медью.

Теплопроводящий материал (TIM)

Теплопроводящий материал, или TIM (Thermal Interface Material), используется для термического соединения и электрической изоляции радиатора от нижнего медного слоя печатной платы. Чтобы получить хороший тепловой интерфейс, требуется определенная толщина для обеспечения заполнения пустот.

Обычно используемые теплопроводящие материалы (таблице 1) включают в себя:

  • Клей. Этот тип TIM не требует постоянного давления, однако обычно имеет низкую удельную теплопроводность из-за добавления адгезивов в материал.
  • Прокладку. Обычно обладает лучшей теплопроводностью, но имеет более высокое тепловое сопротивление на контактных поверхностях (от печатной платы к TIM и от радиатора к TIM). Для прокладок требуется способ монтажа для поддержания постоянного давления между радиатором и печатной платой.
  • Материал с изменяемой фазой. Значения теплопроводности этого теплопроводящего материала находятся между различными типами клея и прокладок, но данный материал имеет способность смачивать контактную поверхность, обеспечивая, таким образом, наиболее стабильную характеристику. Для применения также необходим установленный радиатор и давлениее.

Заполняющий зазор материал демонстрирует самую высокую теплопроводность, но при большей толщине. Под давлением этот материал может сжиматься до 50%, что значительно улучшает тепловое сопротивление. Тем не менее, большое давление > 0,689476 МПа может вызвать деформацию и механическое повреждение платы. Также неравномерное давление на нижний слой меди может привести к неравномерному тепловому сопротивлению и температуре полевых GaN-транзисторов. С другой стороны, материал с изменяемой фазой не требует большой силы сжатия, поскольку его тепловое сопротивление значительно не изменяется с силой сжатия.

Клей TIM, напротив, показывает большее тепловое сопротивление, чем два других типа материалов. Тем не менее, это одна из немногих альтернатив при использовании радиатора меньшего размера (о чем будет сказано в разделе «Радиатор») при одновременном обеспечении более легкого процесса сборки.

Практический метод сравнения и выбора TIM состоит в измерении теплового сопротивления от места контакта к поверхности TIM, показанного как Rθj-s на рисунке 1. Лабораторные измерения приведены в таблице 1. При выборе также должна учитываться стоимость готового изделия.

Таблица 1. Сравнение свойств и характеристик теплопроводящих материалов (TIM) 

TIM

Марка

Удельная теплопроводность, Вт/м * К

Толщина, мм

Напряжение пробоя, кВ/мм

Измеренное значение Rθj-s, °C/Вт

Материал с изменяемой фазой

HF300P

1,6

0,1

50

5,5

Прокладка для заполнения зазоров

GR45A

6

0,5

17

6

Клей

Bondply-100

0,8

0,1

30

8

Для некоторых применений, где электромагнитное излучение может быть подавлено с помощью герметичного металлического корпуса, неизолирующие теплопроводящие материалы, например, термопаста или прямая трассировка радиатора, могут быть практичным вариантом для значительного снижения теплового сопротивления. При непосредственной припайке радиатора к печатной плате требуется гальваническое покрытие алюминиевой пластины радиатора оловянисто-свинцовым или серебряным припоем. Это разработка по заказу, которая может быть более дорогостоящей, чем использование термопасты.

Радиатор

Радиатор является одним из наиболее важных элементов управления тепловым процессом, и он влияет на общую плотность рассеиваемой мощности системы. Для применений с малой мощностью менее 1 кВт размер радиатора обычно составляет менее 30×30 мм. Трудно найти способ монтажа для таких небольших радиаторов, поэтому обычно используется клей TIM.

При более высоких уровнях мощности > 1 кВт характеристика управления тепловым процессом становится более важной. Для радиаторов с размерами равными и более 30×30 мм радиатор с нажимным штифтом может быть соединен с теплопроводящими материалами лучшей теплопроводности. Для радиаторов больше 35×35 мм предпочтительны зажимы QSZ с крепежными штифтами. Преимущество радиатора с нажимным штифтом заключается в том, что усилие сжатия легко регулируется с помощью комбинации пружин и штифтов. Прикладываемая сила распределяется неравномерно, к середине радиатора прикладывается минимальное давление, в то время как в углах наибольшее давление, где применяется сила.

С другой стороны зажимы QSZ имеют поперечины, которые проходят в середине радиаторов, чтобы прижать основание радиатора к тепловому интерфейсу. В этом случае поддерживается относительно постоянное давление по поверхности контакта и обеспечивается более стабильный тепловой интерфейс, чем при способе углового монтажа. Однако приложенное давление может быть слишком высоким, при котором возможно деформирование печатной платы, что определяет толщину дочерней печатной платы. Чем толще печатная плата, тем выше тепловое сопротивление стека печатной платы.

Поэтому компания TI рекомендует, чтобы инженер использовал радиаторы с нажимными штифтами для конструкций дочерних плат и зажим QSZ с крепежными штифтами в приложениях, где полевые GaN-транзисторы установлены на основной плате. В таблице 2 подведен итог рассуждения о радиаторах выше.

Таблица 2. Способы монтажа радиатора 

Размеры радиатора, мм

Способ монтажа

Преимущества

Недостатки

Рекомендуемый вариант использования

< 30x30

Клей TIM

Простота монтажа – давление не требуется

Малая удельная теплопроводность

Малая мощность < 1 кВт

≥ 30x30

Нажимной штифт

Регулируемое прилагаемое усилие с помощью комбинации пружин и штифтов

Неравномерное давление

> 1 кВт на дочерней плате

> 35x35

Зажим QSZ с крепежными штифтами

Равномерное распределение давления по поверхности радиатора

Возможная деформация платы из-за приложенного усилия

> 1 кВт на главной силовой плате

Пример конструкции: преобразователь с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом

Коррекция коэффициента мощности (Power Factor Correction, PFC) с помощью выходного двухтактного каскада (Totem-Pole, TP) является распространенной топологией мощности для преобразователей на основе нитрида галлия (GaN) в различных промышленных, телекоммуникационных и серверных приложениях. Управление тепловым процессом играет важную роль в повышении эффективности системы и увеличении плотности рассеиваемой мощности в этих конструкциях. Типичные технические характеристики системы приведены в таблице 3.

Таблица 3. Спецификации работы преобразователя с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом 

Параметры

Значение

Входное напряжение Vin, В

230

Выходное напряжение Vo, В

400

Скорость нарастания перехода, В/нс

100

Температура окружающей среды Tambient, °C

50

Температура места контакта Tj,max, °C

110

Время запаздывания, нс

50

 Оптимизация температуры и характеристика для конструкций мощностью менее 1,2 кВт

Для этих применений, как правило, достаточно небольших радиаторов, смонтированных с использованием клеевого типа TIM. Плата LMG3410R070-HB-EVM, показанная на рис. 4, имеет толщину 812,8 мкм с 39 переходными отверстиями диаметром 304,8 мкм для передачи тепла полевого GaN-транзистора на высокой стороне и Bondply-100 в качестве TIM.

Полумостовая конструкция мощностью 1,2 кВт

Рис. 4. Полумостовая конструкция мощностью 1,2 кВт

При этих параметрах платы измеренное тепловое сопротивление от места контакта к радиатору составляет около 8°C/Вт, что оставляет около 5,5°C/Вт для самого теплопроводящего материала при принудительном воздушном охлаждении 1 м3/мин, как показано в таблице 4. Чтобы охватить 1,2 кВт при частоте переключения 100 кГц, выбран радиатор 20×20×10 мм, который дает тепловое сопротивление от места контакта в окружающую среду приблизительно 16,4°C/Вт на полевой транзистор.

Таблица 4. Тепловое сопротивление LMG3410R070-HB-EVM при принудительном воздушном охлаждении 1 м3/мин 

Тепловое сопротивление

Значение, °C/Вт

Тепловое сопротивление от места контакта к корпусу (Rθj-c)

0,5

Тепловое сопротивление печатной платы для высокой стороны LMG3410R070 (RθPCB)

2

Расчетное тепловое сопротивление TIM (RθTIM)

5,5

Тепловое сопротивление радиатора (Rθhs) на полевой транзистор

8,4

Общее тепловое сопротивление от места контакта к воздуху (Rθj-a) на полевой транзистор

16,4

Для радиатора 20×20×10 мм ожидаемые потери мощности на плате LMG3410R070-HB-EVM и расчетные температуры места контакта показаны на рисунках 5 и 6. Эти кривые предоставляют информацию о том, что ожидать от LMG3410R070-HB-EVM в приложении с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом (TP PFC) с техническими характеристиками приложения, приведенными в таблице 3.

Потери мощности платы LMG3410R070-HB-EVM для приложений с коррекцией коэффициента мощности

Рис. 5. Потери мощности платы LMG3410R070-HB-EVM для приложений с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом (TP PFC) при охлаждении 1 м3/мин

Температура места контакта высокой стороны LMG3410R070 в приложениях с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом (TP PFC) при охлаждении 1 м3/мин

Рис. 6. Температура места контакта высокой стороны LMG3410R070 в приложениях с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом (TP PFC) при охлаждении 1 м3/мин

Плата LMG3410R070-HB-EVM предназначена для применений мощностью 1,2 кВт с использованием клея TIM. В таблице 5 показано воздушное охлаждение, необходимое для платы LMG3410R070-HB-EVM для различных уровней мощности.

Таблица 5. Требуемое охлаждение для LMG3410R070-HB-EVM с учетом уровней мощности 

Выходная мощность, Вт

Частота коммутации

 

67 кГц

100 кГц

140 кГц

 

Потери полумоста, Вт

Воздушный поток, м3/мин

Потери полумоста, Вт

Воздушный поток, м3/мин

Потери полумоста, Вт

Воздушный поток, м3/мин

300

2,3

Естественная конвекция

3,3

Естественная конвекция

4,6

0,247

600

3,1

Естественная конвекция

4,3

0,247

5,7

0,494

900

4,2

0,247

5,5

0,37

7,1

1

1200

5,8

0,494

7,2

1

8,9

> 4,94

 Оптимизация температуры и характеристика для конструкций > 1,2 кВт

Конструкция управления тепловым процессом для применений с более высокой мощностью требует лучшего теплопроводящего материала и большего радиатора. В плате LMG3410R050-HB-EVM, показанной на рис. 7, используется прокладка для заполнения зазоров TIM Gr-45A, а толщина платы составляет 1193,8 мкм воизбежании деформации. Прокладка выбирается из теплопроводящего материала с изменяемой фазой, так как имеет меньшую стоимость и приемлемые тепловые характеристики. Чтобы достичь теплового сопротивления платы примерно 2,3°C/Вт, диаметр переходного отверстия должен быть равен 203,2 мкм с использованием 71 теплового переходного отверстия. Тепловое сопротивление TIM составляет приблизительно 3,2°C/Вт. При использовании радиатора 30×30×20 мм с нажимными штифтами общее тепловое сопротивление от места контакта до воздуха на полевой транзистор составляет 9,2°C/Вт, как показано в таблице 6.

Полумостовая конструкция мощностью 2 кВт

Рис. 7. Полумостовая конструкция мощностью 2 кВт

Таблица 6. Тепловое сопротивление LMG3410R050-HB-EVM при принудительном воздушном охлаждении 1 м3/мин 

Тепловое сопротивление

Значение, °C/Вт

Тепловое сопротивление от места контакта к корпусу (Rθj-c)

0,5

Тепловое сопротивление печатной платы для высокой стороны LMG3410R050 (RθPCB)

2,3

Расчетное тепловое сопротивление TIM (RθTIM)

3,2

Тепловое сопротивление радиатора (Rθhs) на полевой транзистор

3,2

Общее тепловое сопротивление от места контакта к воздуху (Rθj-a) на полевой транзистор

9,2

На основе теплового стека LMG3410R050-HB-EVM, как описано в таблице 5, ожидаемые потери мощности и температура места контакта полевого GaN-транзистора на высокой стороне показаны на рисунках 8 и 9. Кривые на этих рисунках предоставляют информацию о том, что ожидать от LMG3410R050-HB-EVM в приложении с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом (TP PFC).

Потери мощности платы LMG3410R050-HB-EVM для приложений с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом (TP PFC) при охлаждении 1 м3/минРис. 8. Потери мощности платы LMG3410R050-HB-EVM для приложений с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом (TP PFC) при охлаждении 1 м3/мин

Температура места контакта высокой стороны LMG3410R050 в приложениях с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом (TP PFC) при охлаждении 1 м3/мин

Рис. 9. Температура места контакта высокой стороны LMG3410R050 в приложениях с коррекцией коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом (TP PFC) при охлаждении 1 м3/мин

Плата LMG3410R050-HB-EVM предназначена для применений мощностью 2 кВт с использованием прокладки для заполнения зазоров. В таблице 7 показано воздушное охлаждение, необходимое плате LMG3410R050-HB-EVM для различных уровней мощности.

Таблица 7. Требуемое охлаждение для LMG3410R050-HB-EVM с учетом уровней мощности 

Выходная мощность, Вт

Частота коммутации

 

67 кГц

100 кГц

140 кГц

 

Потери полумоста, Вт

Воздушный поток

Потери полумоста, Вт

Воздушный поток

Потери полумоста, Вт

Воздушный поток, м3/мин

1200

5,1

Естественная конвекция, м3/мин

6,7

Естественная конвекция, м3/мин

8,6

0,247

1500

6,5

Естественная конвекция

8,3

0,247

10,4

0,37

1800

8,3

0,247

10,3

0,37

12,7

1

2100

10,6

0,37

12,8

1

15,5

> 4,94

2200

11,4

0,494

13,7

1,48

16,5

-

Заключение

Тепловые характеристики так же важны, как и характеристики электрических и магнитных компонентов, влияющих на эффективность, надежность и плотность мощности силовых преобразователей. В этой статье мы рассмотрели характеристики теплового стека и оптимизацию каждого компонента, включая печатную плату, теплопроводящий материал и радиатор. Особое внимание уделялось конструкциям полумоста мощностью 1,2 кВт с использованием LMG3410R070 и мощностью 2 кВт с использованием LMG3410R050 на примере коррекции коэффициента мощности с выходным двухтактным каскадом. Также обсудили ожидаемые потери мощности полумоста и температуры места контакта полевых GaN-транзисторов в разработанных демонстрационных платах (EVM), а также требуемое воздушное охлаждение для различных уровней мощности.

Дополнительные материалы:

Источник: www.ti.com

Производитель: Texas Instruments
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
LMG3410R070RWHR
LMG3410R070RWHR
Texas Instruments
Арт.: 3041736 ИНФО PDF AN RD DT
Доступно: 373 шт. от 2000 шт. от 1008,83
Выбрать
условия
поставки
Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters MOSFET (Metal Oxide) 32-VQFN (8x8)
LMG3410R070RWHR от 2000 шт. от 1008,83
373 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
LMG3410R070RWHT
LMG3410R070RWHT
Texas Instruments
Арт.: 3041737 ИНФО PDF AN RD DT
Доступно: 242 шт. от 1 шт. от 1556,82
Выбрать
условия
поставки
Драйверы для управления затвором SMART 70MOHM GAN FET WITH DRIVER
LMG3410R070RWHT от 1 шт. от 1556,82
242 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
LMG3410EVM-018
LMG3410EVM-018
Texas Instruments
Арт.: 3416579 ИНФО RD
Поиск
предложений
LMG3410R050 daughter card
LMG3410EVM-018
-
Поиск
предложений
LMG3410EVM-031
LMG3410EVM-031
Texas Instruments
Арт.: 3416580 ИНФО RD
Поиск
предложений
LMG3410R150 daughter card
LMG3410EVM-031
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()