Материнская плата LMG34xx для оценки GaN транзисторов

Простая в использовании интерфейсная плата для настройки любой платы полумоста LMG34XX, например, такой, как LMG3410-HB-EVM (дочерняя плата), для работы в качестве синхронного понижающего преобразователя. Основное назначение интерфейсной платы – оценка возможностей нитрид-галлиевых транзисторов, установленных на дочерней плате (приобретается отдельно). В случае с LMG3410-HB-EVM – это два 600 В/12A силовых GaN транзистора LMG3410 с интегрированными драйверами, которые сконфигурированы в полумост со всеми необходимыми цепями смещения и сдвига уровней
125
В избранное

LMG34xx-BB-EVM – простая в использовании интерфейсная (материнская) плата (Рис. 1, Рис. 3) для настройки любой платы полумоста LMG34XX, например, такой, как LMG3410-HB-EVM  (Рис. 2, Рис. 4) в качестве синхронного понижающего преобразователя.

На плате LMG3410-HB-EVM имеются два 600 В/12 A силовых GaN транзистора LMG3410 с интегрированными драйверами, которые сконфигурированы в полумост со всеми необходимыми цепями смещения и сдвига уровней. Силовой каскад и другие необходимые структуры полностью встроены в плату для минимизации паразитной индуктивности, снижения скачков напряжения и повышения производительности.

Обеспечивая силовым каскадом, схемой смещения и логическими цепями, EVM позволяет быстро измерить коммутационные параметры нитрид-галлиевых транзисторов (GaN). EVM способна обеспечить выходной ток до 8 А с адекватным управлением температурой (принудительная подача воздуха, работа на низких частотах и т. д.), чтобы гарантировать рабочую температуру ниже максимальной. Изделие не подходит для измерений параметров переходных процессов, так как в нем применяется схема с разомкнутым контуром.

Требуется только один вход ШИМ с комплементарными ШИМ сигналами и соответствующим мертвым временем (dead time), длительность которого формируется платой. На плате предусмотрены контрольные точки для измерения ключевых логических сигналов и сигналов силового каскада с помощью осциллографа.

Материнская плата LMG34xx-BB-EVM

Рис. 1. Материнская плата LMG34xx-BB-EVM

Упрощенная схема дочерней платы LMG3410-HB-EVM

Рис. 2. Упрощенная схема дочерней платы LMG3410-HB-EVM

Схема принципиальная электрическая материнской платы LMG34xx-BB-EVM

Рис. 3. Схема принципиальная электрическая материнской платы LMG34xx-BB-EVM

Схема принципиальная электрическая дочерней платы LMG3410-HB-EVM

Рис. 4. Схема принципиальная электрическая дочерней платы LMG3410-HB-EVM

Отличительные особенности: 

  • Требуется только один 12 В источник напряжения смещения;
  • Требуется только один вход ШИМ 0 В -5 В для генерации сигналов управления затвором;
  • Отключение ШИМ в случае неисправности по сигналу от LMG3410-HB-EVM;
  • Максимальное рекомендуемое рабочее напряжение 480 В;
  • Абсолютное максимальное напряжение 600 В;
  • Максимальный рекомендуемый рабочий ток индуктивности 8 А;
  • Простой дизайн материнской платы с разомкнутым контуром для оценки производительности LMG3410;
  • Мертвое время 50 нс;
  • Удобные контрольные точки для измерений параметров логических и силовых каскадов с помощью осциллографа.

Важные замечания: 

  1. До начала работы с этими изделиями следует внимательно ознакомиться с инструкциями по безопасности и технологией работы
  2. Для работы кроме материнской платы требуется одна из дочерних плат (заказывается отдельно)

Страница изделия на сайте производителя.

Производитель: Texas Instruments
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
LMG34XX-BB-EVM
LMG34XX-BB-EVM
Texas Instruments
Арт.: 2177964 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Материнская плата LMG34xx для оценки GaN транзисторов.
LMG34XX-BB-EVM
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()