Оценочный модуль для N-канальных  транзисторов FemtoFET

Изделие предназначено для тестирования N-канальных FemtoFET транзисторов CSD13380F3, CSD13383F4, CSD13385F5, CSD15380F3, CSD17381F4, CSD17585F5 и CSD18541F5 как непосредственно в приложении пользователя, так и отдельно от него. Транзисторы имеют крошечные размеры F3 (0.6x0.7мм), F4 (0.6x1.0мм) и F5 (0.8x1.5мм), а сама плата, на которой установлены популярные штыревые разъемы, соединенные с контактами истока, затвора и стока каждого транзистора, является конструктивным интерфейсом между FemtoFET и платой приложения. Модуль разделен на семь отделяемых частей (карт), на каждой из которых имеется соответствующий транзистор. Плата поможет ускорить оценку и использование  в проекте транзисторов FemtoFET.
368
В избранное

CSD1FNCHEVM-889 – оценочный модуль, обеспечивающий аппаратный интерфейс для тестирования следующих N-канальных FemtoFET транзисторов: CSD13380F3, CSD13383F4, CSD13385F5, CSD15380F3, CSD17381F4, CSD17585F5 и CSD18541F5. Для оценки  транзисторов и системы, в которой предполагается их применение, выводы стока, затвора и истока каждого транзистора MOSFET могут быть подключены к тестовой цепи пользователя через разъемы. Оценочный модуль также оснащен сенсорными точками для оценки характеристик транзисторов MOSFET.

Электрическая спецификация транзисторов оценочного модуля приведена в Таблице 1.

Таблица 1. Электрическая спецификация транзисторов оценочного модуля

CSD1FNCHEVM-889_table1.png (23 KB)

Оценочный модуль включает в себя семь дочерних карт, которые отличаются друг от друга наименованием установленного транзистора. Дочерние карты позволяют инженерам легко подключить и протестировать эти крошечные устройства, среди которых транзисторы с размерами F3 (0.6x0.7мм), F4 (0.6x1.0мм) и F5 (0.8x1.5мм). Для каждого транзистора MOSFET (Рис. 2) на плате установлен разъем с выводами стока (D), затвора (G) и истока (S), которые можно подключить к тестовым цепям, в то время как сенсорные точки - выводы DS (Drain Sense), GS (Gain Sense) и SS (Source Sense)  могут использоваться для измерения напряжений.

Пример установки для тестирования транзистора CSD13380F3 представлен на Рис. 3. Источник напряжения VDS соединен с D и S через нагрузочный резистор, а источник напряжения VGS соединен с G и S. Если на MOSFET подать напряжение VDS, то он включится (откроется), если напряжение VGS будет больше порогового напряжения. V1 и V2 – это измерители напряжений VDS  и VGS, в то время как A1 и A2 – это измерители тока для мониторинга токов ID и IG.

В Таблице 1 представлены максимальные значения напряжений VDS и VGS, а также максимальная величина тока ID для каждого транзистора.

На Рис. 4 и Рис. 5 показан дизайн двухслойной PCB модуля CSD1FNCHEVM-889.

В Таблице 2 представлен BOM изделия CSD1FNCHEVM-889.

Таблица 2. BOM оценочного модуля CSD1FNCHEVM-889

BOM оценочного модуля CSD1FNCHEVM-889

Схема принципиальная электрическая изделия представлена на Рис. 6.

Оценочный модуль FemtoFET N-ch (CSD1FNCHEVM-889)

Рис. 1. Оценочный модуль FemtoFET N-ch (CSD1FNCHEVM-889)

Изображение платы CSD1FNCHEVM-889

Рис. 2. Изображение платы CSD1FNCHEVM-889

Пример установки для тестирования транзистора CSD13380F3

Рис. 3. Пример установки для тестирования транзистора CSD13380F3

Верхний слой платы CSD1FNCHEVM-889

Рис. 4. Верхний слой платы CSD1FNCHEVM-889

Нижний слой платы CSD1FNCHEVM-889

Рис. 5. Нижний слой платы CSD1FNCHEVM-889

Схема принципиальная электрическая модуля CSD1FNCHEVM-889

Рис. 6. Схема принципиальная электрическая модуля CSD1FNCHEVM-889

Отличительные особенности: 

  • Простота обращения с транзисторами в LGA корпусах;
  • Полный диапазон напряжений VDS;
  • Семь дочерних карт, которые могут быть отделены от модуля для использования в пользовательском дизайне (один FET транзистор на одной дочерней карте);
  • Транзисторы FemoFET имеют наилучшие показатели Размер*Сопротивление в FET индустрии.

Страница изделия на сайте производителя.

Производитель: Texas Instruments
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
CSD1FNCHEVM-889
CSD1FNCHEVM-889
Texas Instruments
Арт.: 2718971 ИНФО AN
Поиск
предложений
Оценочный модуль для N-канальных транзисторов FemtoFET.
CSD1FNCHEVM-889
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()